ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ НА ОСНОВІ ПЛІВКИ ВІДНОВЛЕНОГО ОКСИДУ ГРАФЕНУ ДЛЯ ФОТО- ТА РАДІАЦІЙНИХ ДЕТЕКТОРІВ - Оленич, І. Б.; Монастирський, Л. С.; Соколовський, Б. С.; Турко, Б. І.; Дзендзелюк, О. С. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2025)
Досліджено особливості використання діелектричних шарів SiO2, Al2O3 та HfO2 у польових транзисторах на основі плівки відновленого оксиду графену (RGO) для реєстрації видимого та іонізуючого випромінювання. На основі аналізу залежності струму стоку та опору плівки RGO від напруги затвора досліджено вплив діелектричного шару на електричні характеристики створених польових транзисторів у режимах постійного та змінного струму. Виявлено збільшення струму стоку, зменшення опору плівки RGO та зміщення точки нейтральності заряду у бік від’ємної напруги затвора під впливом опромінення білим світлом. Встановлено, що опромінення β-частинками та γ-квантами від джерела 226Ra зумовлює трансформацію вольт-фарадних характеристик отриманих польових транзисторів на основі плівки RGO внаслідок утворення електрично активних дефектів у діелектричному шарі. Обговорюється ефективність використання різних діелектричних шарів для створення фото- та радіаційних детекторів на основі графенових польових транзисторів.