ФОТОДІОДИ HgCdTe СЕРЕДНЬОХВИЛЬОВОГО ІЧ ДІАПАЗОНУ СПЕКТРА - Sizov, F.; Tsybrii, Z.; Vuichyk, M.; Andreyeva, К.; Apatsка, М.; Bunchuk, S.; Dmytruk, N.; Smolii, М. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2016)
Виготовлено фотодіоди HgCdTe середньохвильового інфрачервоного (ІЧ) діапазону спектра з великою площею чутливого елемента (Ø = 0.5 мм) з довгохвильовою межею фотовідгуку λco ≈ 5 мкм та досліджено їхні характеристики на структурах, вирощених методом рідкофазної епітаксії. Оцінено характеристики таких фотодіодів, які необхідні для їх функціонування в режимах, обмежених флуктуаціями потоку фотонів фонового випромінювання (BLIP режим, BLIP - background limited performance)