ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОТІКАННЯ СТРУМУ В НИЗЬКООМНИХ КРИСТАЛАХ CdTe:Cl - Olikh, Ya. М.; Tymochko, M. D.; Ilashchuk, M. I.; Parfenyuk, O. A.; Ulyanytskiy, K. S. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2016)
В низькоомних кристалах CdTe:Cl n-типу (NCl≈1024 m-3) вперше спостережено динамічні (in-situ, повністю зворотні) акустостимульовані (АС) зміни провідності σ. Для визначення механізму АС явищ проведено дослідження температурних залежностей (77÷300 К) концентрації і рухливості електронів в умовах дії ультразвуку (УЗ) (fUS~10 MHz, WUS~(0,1÷2,0)∙104 Wt/m2 ) та кінетики релаксації σ(t) при ввімкненні та вимкненні УЗ. Запропоновано акусто-дислокаційний механізм, який пов'язує: а) «миттєві» (t<1 sec) зміни σ (t) з додатковим розсіюванням носіїв заряду на дислокаціях та кластерах точкових дефектів, які коливаються в УЗ полі; б) довготривалі (50÷500) sec температурно-залежні релаксації σ(t) є результатом дифузійної перебудови точково-дефектної структури в об’ємі кластера, включаючи перетворення акцепторного комплексу [(VCd 2-ClTe + )- ] в нейтральний – [(VCd 2-2ClTe + )0].