НОВИЙ КРЕМНІЄВИЙ ДАТЧИК МАГНІТНОГО ПОЛЯ - Verbitskiy, V. G.; Kryvokhyzha, K. V.; Kukharenko, O. G.; Tolmachov, M. G.; Tretiak, O. V. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2016)
Досліджувались структури у вигляді планарного кремнієвого p-n переходу, в область просторового заряду якого вводились парамагнітні центри шляхом опромінення високоенергетичними іонами Не+. Експериментально підтверджено зміну провідності таких структур в умовах спінового резонансу. З’ясовано, що величина цієї зміни суттєво не залежить від напруженості магнітного поля. Це явище може бути використано для створення широкодіапазонного безкалібровочного датчика магнітного поля.