ОТРИМАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ УФ-СЕНСОРІВ НА ПІДКЛАДЦІ GaP З МОДИФІКОВАНОЇ ПОВЕРХНЕЮ - Makhniy, V. P.; Bodyul, G. I.; Herman, І. І.; Skllyarchuk, V. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2016)
Досліджено фотоелектричні властивості контактів Ni-GaP, виготовлених на підкладках n-GaP, що відрізняються способом обробки поверхні. Після травлення в «царській горілці» підкладки мали дзеркальну поверхню (тип 1), яка після опрацювання у розплаві КОН + НNO3 = 1: 50 візуально сприймається матовою (тип 2). АСМ-топограми показали, що зразки 2 типу характеризуються структурою, що складається з однаково орієнтованих пірамід з основою 2-5 мкм, які є об’єднанням нанопірамід з латеральними розмірами 10-100нм. Наявність цієї поверхневої наноструктури викликає ряд особливостей фотоелектричних властивостей контактів Ni-GaP. Перша з них полягає в істотно більшій струмовій чутливості - 0,35 А / Вт проти 0,1 А / Вт для діодів з дзеркальною поверхнею. Напруга холостого ходу структур 2 типу досягає ~ 0,9 В, в той час як для зразків 1 типу воно не перевищує 0,5 В. Поверхнева наноструктура викликає також зменшення швидкості поверхневої рекомбінації, що підтверджується появою в спектрах фоточутливості смуги з максимумом ~ 3, 2еВ, відповідної енергії прямих переходах.