ВПЛИВ ДИПОЛЬ-ДИПОЛЬНОЇ ВЗАЄМОДІЇ АДАТОМІВ НА ЗАКОН ДИСПЕРСІЇ ТА ШИРИНУ АКУСТИЧНОЇ ФОНОННОЇ МОДИ КВАЗІРЕЛЕЄВСЬКОЇ ХВИЛІ - Seneta, M. Ya.; Peleshchak, R. M. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2017)
У роботі в межах довгохвильового наближення розвинуто теорію дисперсії поверхневої пружної акустичної хвилі, що розповсюджується на поверхні напівпровідника GaAs (110), яка покрита адсорбованими атомами металу (або молекулами О2). Отримані дисперсійне рівняння та ширина акустичної фононної моди квазірелеєвської хвилі з врахуванням диполь-дипольної взаємодії, взаємодії, пов’язаної з силами дзеркального зображення, прикладеними до поверхні кристала, та взаємодії адатомів з атомами підкладки і з поверхневою акустичною хвилею через деформаційний потенціал. Диполь-дипольна взаємодія адсорбованих атомів металу (або молекул газу) на поверхні напівпровідника GaAs (110) розраховувалась у межах узагальненої моделі напівпровідника Халдейна-Андерсона, яка враховує електростатичну взаємодію адатомів. Проведено числовий розрахунок залежності частоти поверхневої акустичної квазірелеєвської хвилі від хвильового вектора та ширини акустичної фононної моди з врахуванням диполь-дипольної взаємодії адсорбованих молекул О2 на поверхні GaAs (110) при температурах 100 К і 300 К. Показано, що як диполь-дипольна взаємодія адсорбованих молекул О2 на GaAs (110), так і зростання температури від 100 К до 300 К приводить до збільшення ширини поверхневої пружної акустичної моди.