ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКІВ, ЩО ПРИВЕЛИ ДО ВІДКРИТТЯ p-n ПЕРЕХОДУ УКРАЇНСЬКИМИ УЧЕНИМИ - Литовченко, В. Г. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2015)
В.Є. Лашкарьов (1903-1973 р.р.) – видатний учений України ХХ століття в галузі фізики напівпровідників та їх прикладних проблем. Основні результати отримані в галузі досліджень поверхні методом дифракції повільних електронів, фотоелектричних властивостей об’єму та поверхні напівпровідників, з вивченням в них термоелектричних ефектів. Використовуючи явище термоелектрорушійної сили на точковому контакті метал-напівпровідник (CuO) відкрив барьєрну структуру р-п перехід і дав фізично правильне пояснення її унікальних випрямляючих властивостей (публікація в Известиях АН СССР, с.Физ.5 , № 4-5, с. 442-446, 1941 г.). Згодом (1947 р.) саме така структура з двох суміжних точкових контактів- зондів з напівпровідником (Gе) була використана для відкриття транзисторного ефекта (1947 р., Бардин, Бреттен, Шріфер , нагороджені за це Нобелівською премією). Структури з р-n переходом є до цього часу базовими для електронного приладобудування.