[1]
Lysiuk, I.O., Golenkov, A.G., Dukhnin, S.E., Reva, V.P., Shevchik-Shekera, A.V. і Sizov, F.F. 2017. ОДНОЕЛЕМЕНТНИЙ ПРИЙМАЛЬНИЙ ПРИСТРІЙ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ВИПРОМІНЮВАННЯ СУБ-ТГц/ТГц ДІАПАЗОНА НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 14, 3 (Жов 2017), 38–46. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2017.3.109330.