Moskal, D., Nadtochiy, V. і Golodenko, N. 2017. СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 1, 2 (Жов 2017), 89–93. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2004.2.111963.