[1]
Птащенко, О.О., Птащенко, Ф.О. і Гільмутдінова, В.Р. 2013. ВПЛИВ ПОВЕРХНЕВОГО ЛЕГУВАННЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ GaAs ЯК ГАЗОВИХ СЕНСОРІВ. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 10, 1 (Лют 2013), 114–123. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.1.112742.