[1]
Goltvyansciy, Y.V., Machoulin, V.F., Olih, Y.M., Popov, V.G. і Romanjuc, B.M. 2007. ПОЛІПШЕННЯ ФОТОЧУТЛИВОСТІ Si-СЕНСОРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ МЕТОДОМ АКУСТОСТИМУЛЬОВАНОЇ ІМПЛАНТАЦІЇ ЙОНІВ БОРУ ТА АРСЕНУ. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 4, 2 (Трав 2007), 3–8. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113439.