[1]
Pavlovska, N.T., Litovchenko, P.G., Druzhinin, A.A., Ostrovskyy, I.P., Khoverko, Y.M., Karpenko, A.Y., Tsmots, V.M. і Pavlovskyy, Y.V. 2010. ВПЛИВ ПРОТОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ Si-Ge. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 7, 4 (Лис 2010), 5–8. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116161.