[1]
Онанко, А.П., Ляшенко, О.В., Продайвода, Г.Т., Вижва, С.А. і Онанко, Ю.А. 2011. ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ, УЛЬТРАЗВУКУ, ЕЛЕКТРИЧНОГО СТРУМУ НА НЕПРУЖНОПРУЖН І ХАРАКТЕРИСТИКИ, РЕЛАКСАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В Ge-Si ТА SiO2. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 8, 3 (Сер 2011), 14–21. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2011.3.117744.