Маслєєва, Н.В., Богдан, О.В., Стукалов, С.А. і Загинайло, І.В. 2025. ВИКОРИСТАННЯ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. 22, 2 (Чер 2025), 48–53. DOI:https://doi.org/10.18524/1815-7459.2025.2.328645.