Маслєєва, Н. В.; Богдан, О. В.; Стукалов, С. А.; Загинайло, І. В. ВИКОРИСТАННЯ р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ. Сенсор. електроніка і мікросистем. технології 2025, 22, 48-53.