Маслєєва, Н. В., Богдан, О. В., Стукалов, С. А., & Загинайло, І. В. (2025). ВИКОРИСТАННЯ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 22(2), 48–53. https://doi.org/10.18524/1815-7459.2025.2.328645