LYSIUK, I. O.; GOLENKOV, A. G.; DUKHNIN, S. E.; REVA, V. P.; SHEVCHIK-SHEKERA, A. V.; SIZOV, F. F. ОДНОЕЛЕМЕНТНИЙ ПРИЙМАЛЬНИЙ ПРИСТРІЙ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ВИПРОМІНЮВАННЯ СУБ-ТГц/ТГц ДІАПАЗОНА НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, [S. l.], v. 14, n. 3, p. 38–46, 2017. DOI: 10.18524/1815-7459.2017.3.109330. Disponível em: http://semst.onu.edu.ua/article/view/109330. Acesso em: 17 лют. 2026.