MOSKAL, D.; NADTOCHIY, V.; GOLODENKO, N. СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, [S. l.], v. 1, n. 2, p. 89–93, 2017. DOI: 10.18524/1815-7459.2004.2.111963. Disponível em: http://semst.onu.edu.ua/article/view/111963. Acesso em: 16 груд. 2025.