МАСЛЄЄВА, Н. В.; БОГДАН, О. В.; СТУКАЛОВ, С. А.; ЗАГИНАЙЛО, І. В. ВИКОРИСТАННЯ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, [S. l.], v. 22, n. 2, p. 48–53, 2025. DOI: 10.18524/1815-7459.2025.2.328645. Disponível em: http://semst.onu.edu.ua/article/view/328645. Acesso em: 10 січ. 2026.