Moskal, D., Nadtochiy, V. і Golodenko, N. (2017) «СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 1(2), с. 89–93. doi: 10.18524/1815-7459.2004.2.111963.