D. Moskal, V. Nadtochiy, і N. Golodenko, «СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К», Сенсор. електроніка і мікросистем. технології, т. 1, вип. 2, с. 89–93, Жов 2017.