[1]
Y. V. Goltvyansciy, V. F. Machoulin, Y. M. Olih, V. G. Popov, і B. M. Romanjuc, «ПОЛІПШЕННЯ ФОТОЧУТЛИВОСТІ Si-СЕНСОРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ МЕТОДОМ АКУСТОСТИМУЛЬОВАНОЇ ІМПЛАНТАЦІЇ ЙОНІВ БОРУ ТА АРСЕНУ», Сенсор. електроніка і мікросистем. технології, т. 4, вип. 2, с. 3–8, Трав 2007.