[1]
V. A. Mokritsky, V. A. Zavadsky, S. V. Lenkov, Y. I. Lepich, і O. V. Banzak, «ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ І НЕЙТРОНІВ НА ЕПІТАКСІЙНІ ШАРИ АРСЕНІДУ ГАЛІЯ», Сенсор. електроніка і мікросистем. технології, т. 6, вип. 4, с. 51–54, Лис 2009.