[1]
А. П. Онанко, О. В. Ляшенко, Г. Т. Продайвода, С. А. Вижва, і Ю. А. Онанко, «ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ, УЛЬТРАЗВУКУ, ЕЛЕКТРИЧНОГО СТРУМУ НА НЕПРУЖНОПРУЖН І ХАРАКТЕРИСТИКИ, РЕЛАКСАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В Ge-Si ТА SiO2», Сенсор. електроніка і мікросистем. технології, т. 8, вип. 3, с. 14–21, Сер 2011.