[1]
Ю. О. Кругляк і М. В. Стріха, «ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: НАПРУГА НА ЗАТВОРІ, ПОВЕРХНЕВИЙ ПОТЕНЦІАЛ ТА РУХЛИВИЙ ЕЛЕКТРОННИЙ ЗАРЯД У МАСИВНІЙ СТРУКТУРІ MOS ТА В ТОНКІЙ SOI», Сенсор. електроніка і мікросистем. технології, т. 16, вип. 2, с. 5–31, Чер 2019.