Н. В. Маслєєва, О. В. Богдан, С. А. Стукалов, і І. В. Загинайло, «ВИКОРИСТАННЯ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ», Сенсор. електроніка і мікросистем. технології, т. 22, вип. 2, с. 48–53, Чер 2025.