Moskal, D., V. Nadtochiy, і N. Golodenko. «СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К». Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, т. 1, вип. 2, Жовтень 2017, с. 89-93, doi:10.18524/1815-7459.2004.2.111963.