Маслєєва, Н. В., О. В. Богдан, С. А. Стукалов, і І. В. Загинайло. «ВИКОРИСТАННЯ р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ». Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, т. 22, вип. 2, Червень 2025, с. 48-53, doi:10.18524/1815-7459.2025.2.328645.