Маслєєва, Н. В., О. В. Богдан, С. А. Стукалов, і І. В. Загинайло. «ВИКОРИСТАННЯ р-N ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ». Сенсорна електроніка і мікросистемні технології 22, no. 2 (Червень 23, 2025): 48–53. дата звернення Січень 10, 2026. http://semst.onu.edu.ua/article/view/328645.