1.
Mokritsky VA, Zavadsky VA, Lenkov SV, Lepich YI, Banzak OV. ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШВИДКИХ ЕЛЕКТРОНІВ І НЕЙТРОНІВ НА ЕПІТАКСІЙНІ ШАРИ АРСЕНІДУ ГАЛІЯ. Сенсор. електроніка і мікросистем. технології [інтернет]. 24, Листопад 2009 [цит. за 06, Грудень 2025];6(4):51-4. доступний у: http://semst.onu.edu.ua/article/view/116103