Маслєєва НВ, Богдан ОВ, Стукалов СА, Загинайло ІВ. ВИКОРИСТАННЯ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ. Сенсор. електроніка і мікросистем. технології [інтернет]. 23, Червень 2025 [цит. за 10, Січень 2026];22(2):48-53. доступний у: http://semst.onu.edu.ua/article/view/328645