http://semst.onu.edu.ua/issue/feed Сенсорна електроніка і мікросистемні технології 2025-12-23T10:34:37+02:00 Лепіх Ярослав Ілліч / Lepikh Yaroslav semst-journal@onu.edu.ua Open Journal Systems <p>Науковий журнал <strong>«Сенсорна електроніка і мікросистемні технології»</strong>, заснований у 2003 році, публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:</p> <ul> <li>Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори</li> <li>Проектування і математичне моделювання сенсорів</li> <li>Сенсори фізичних величин</li> <li>Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори</li> <li>Акустоелектронні сенсори</li> <li>Хімічні сенсори</li> <li>Біосенсори</li> <li>Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)</li> <li>Матеріали для сенсорів</li> <li>Технологія виробництва сенсорів</li> <li>Сенсори та інформаційні системи</li> <li>Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)</li> <li>Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.</li> </ul> <p><strong>ISSN </strong><a style="background-color: #ffffff;" href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">1815-7459</a> (друкована версія) <strong>eISSN </strong><a style="background-color: #ffffff;" href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/2415-3508" target="_blank" rel="noopener">2415-3508</a> (онлайн-версія)<br /><strong>DOI </strong><a href="https://www.doi.org/10.18524/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">10.18524/1815-7459</a></p> <p><strong>Свідоцтво про державну реєстрацію друкованого засобу масової інформації</strong> <em>(чинне до 31 березня 2024 р.)</em>:<br /><a href="http://semst.onu.edu.ua/libraryFiles/downloadPublic/2069" target="_blank" rel="noopener">КВ № 8131 від 13.11.2003 р.</a></p> <p>Згідно з Рішенням Національної ради України з питань телебачення і радіомовлення <a href="https://webportal.nrada.gov.ua/decisions/pro-zayavy-odeskogo-natsionalnogo-universytetu-imeni-i-i-mechnykova-m-odesa-shhodo-reyestratsiyi-sub-yekta-u-sferi-drukovanyh-media-oprylyudneno-29-03-2024/" target="_blank" rel="noopener">№ 1050 від 28.03.2024 р.</a> журнал зареєстрований як друковане медіа і внесений до <strong>Реєстру суб'єктів у сфері медіа</strong> з ідентифікатором <strong>R30-03678</strong>.</p> <p>Журнал внесено до <strong><a href="https://nfv.ukrintei.ua/view/5b1925e27847426a2d0ab644" target="_blank" rel="noopener">категорії «Б»</a></strong> <strong>Переліку наукових фахових видань України </strong>наказами Міністерства освіти і науки України:<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-6-bereznya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 409 від 17.03.2020 р.</a> в галузі <strong>«Фізико-математичні науки»</strong> за спеціальностями <strong>104 Фізика та астрономія</strong> і <strong>105 Прикладна фізика та наноматеріали</strong>;<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-2-lipnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 886 від 02.07.2020 р.</a> в галузі <strong>«Технічні науки»</strong> за спеціальністю <strong>171 Електроніка</strong>;<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-24-veresnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 1188 від 24.09.2020 р.</a> в галузі <strong>«Біологічні науки»</strong> за спеціальністю <strong>091 Біологія та біохімія</strong>.</p> <p><strong>Періодичність виходу: </strong>4 рази на рік<br /><strong>Мови видання: </strong>англійська, українська<br /><strong>Засновник: </strong><a href="http://onu.edu.ua/uk/">Одеський національний університет імені І. І. Мечникова</a><br /><strong>Головний редактор: </strong>Сминтина Валентин Андрійович, д-р фіз.-мат. наук, проф. <br /><strong>Заступник головного редактора: </strong>Лепіх Ярослав Ілліч, д-р фіз.-мат. наук, проф. <br /><strong>Адреса редакції: </strong>вул. Змієнка Всеволода, 2, м. Одеса, Україна 65082<br /><strong>Електронна адреса: </strong><a href="mailto:semst-journal@onu.edu.ua">semst-journal@onu.edu.ua</a><br /><strong>Попередня версія сайту:</strong> <a href="http://old.semst.onu.edu.ua">http://old.semst.onu.edu.ua</a></p> <p><strong>Журнал реферується та індексується в таких базах даних:</strong> <a href="https://dspace.onu.edu.ua/handle/123456789/13197" target="_blank" rel="noopener">Електронний архів-репозитарій Одеського національного університету імені І. І. Мечникова (elONUar)</a>; <a href="http://www.irbis-nbuv.gov.ua/cgi-bin/irbis_nbuv/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&amp;I21DBN=UJRN&amp;P21DBN=UJRN&amp;S21STN=1&amp;S21REF=10&amp;S21FMT=juu_all&amp;C21COM=S&amp;S21CNR=20&amp;S21P01=0&amp;S21P02=0&amp;S21P03=PREF=&amp;S21COLORTERMS=0&amp;S21STR=seimt" target="_blank" rel="noopener">«Наукова періодика України»</a> та <a href="http://www.irbis-nbuv.gov.ua/cgi-bin/irbis_nbuv/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&amp;I21DBN=REF&amp;P21DBN=REF&amp;S21STN=1&amp;S21REF=10&amp;S21FMT=fullwebr&amp;C21COM=S&amp;S21CNR=20&amp;S21P01=0&amp;S21P02=0&amp;S21P03=I=&amp;S21COLORTERMS=1&amp;S21STR=%D0%9624835" target="_blank" rel="noopener">«Україніка наукова»</a> Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського; <a href="http://jml.indexcopernicus.com/search/details?id=33098" target="_blank" rel="noopener">Index Copernicus Journals Master List</a>; <a href="http://ulrichsweb.serialssolutions.com/login" target="_blank" rel="noopener">Ulrich’s Periodicals Directory</a>; <a href="https://scholar.google.com.ua/scholar?as_q=&amp;as_epq=&amp;as_oq=&amp;as_eq=&amp;as_occt=any&amp;as_sauthors=&amp;as_publication=Sensor+Electronics+and+Microsystem+Technologies&amp;as_ylo=&amp;as_yhi=&amp;btnG=&amp;hl=uk&amp;as_sdt=1%2C5" target="_blank" rel="noopener">Google Академія</a>; <a href="https://www.worldcat.org/search?qt=worldcat_org_all&amp;q=1815-7459" target="_blank" rel="noopener">WorldCat</a>; <a href="https://www.ebsco.com/products/research-databases/applied-science-technology-source-ultimate" target="_blank" rel="noopener">EBSCO Applied Science &amp; Technology Source Ultimate</a>.</p> http://semst.onu.edu.ua/article/view/347720 НОВИЙ КОНДУКТОМЕТРИЧНИЙ БІОСЕНСОР НА ОСНОВІ АДСОРБОВАНОЇ НА СИЛІКАЛІТІ РЕКОМБІНАНТНОЇ УРЕАЗИ 2025-12-23T10:34:37+02:00 С. Марченко svmarchenkosv@ukr.net Т. Величко taras.velychko@gmail.com О. Солдаткіна olgasoldatkina@yahoo.com О. Солдаткін soldatkinsasha@gmail.com Б. Аката Курч akata@metu.edu.tr С. Дзядевич dzyad@yahoo.com <p>Дана експериментальна робота присвячена розробленню нового кондуктометричного біосенсора з покращеними аналітичними характеристиками для кількісної детекції сечовини. Біоселективний елемент біосенсора було виготовлено шляхом адсорбції рекомбінантної уреази на кондуктометричному перетворювачі, модифікованому тонким шаром нанопористих частинок силікаліту (d = 250 нм). Під час розробки біосенсора було вивчено вплив параметрів розчину на його функціонування. Досліджено величину відгуків біосенсора на основі рекомбінантної уреази в залежності від концентрації білку в аналізованому розчині. Перевірено, як змінюються відгуки запропонованого біосенсора при різній іоній силі та буферній ємності аналізованого розчину. Розроблений біосенсор мав ряд важливих переваг, таких як швидкість відгуку, простота використання, відсутність потреби у застосуванні токсичних агентів при виготовленні, висока відтворюваність сигналів при безперервній роботі (RSD = 5%), розширений лінійний діапазон знаходився в межах 0,02–9 мМ, висока операційна стабільність протягом щонайменше 19 днів зберігання. Відповідно, враховуючи високі аналітичні параметри розробки, було доведено перспективність застосування біосенсора на основі рекомбінантної уреази, адсорбованої на силікаліті, для медичної діагностики концентрації сечовини в складних багатокомпонентних біологічних рідинах.</p> 2025-12-23T00:00:00+02:00 Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології http://semst.onu.edu.ua/article/view/347719 КОНСТРУКТОРСЬКО-ТЕХНОЛОГІЧНІ РІШЕННЯ АКУСТОЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЇВ ФІЗИЧНИХ ВЕЛИЧИН НА ПОВЕРХНЕВИХ АКУСТИЧНИХ ХВИЛЯХ 2025-12-23T10:34:35+02:00 Я. І. Лепіх ndl_lepikh@onu.edu.ua П. О. Снігур ndl_lepikh@onu.edu.ua <p>В роботі аналізуються існуючі і пропонуються нові конструкторсько-технологічні рішення акустоелектронних пристроїв на поверхневих акустичних хвилях. Відзначається, що при однакових базових елементах пристроїв, в завершальній частині КТР мають місце суттєві відмінності, які запропоновано розглядати як три групи конструкцій корпусування, орієнтовні на серійне (масове) виробництво. Виокремлюються пристрої спеціального призначення, які, як правило, виготовляються малими серіями, а їх конструктив визначається умовами використання в спецапаратурі.</p> 2025-12-23T00:00:00+02:00 Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології http://semst.onu.edu.ua/article/view/347717 ТРИБОЕЛЕКТРИЧНИЙ НАНОГЕНЕРАТОР НА ОСНОВІ ЗІМ’ЯТИХ ЗОЛОТИХ ПЛІВОК: РОЗРАХУНКИ З ПЕРШИХ ПРИНЦИПІВ 2025-12-23T10:33:49+02:00 В. М. Пресс vladimpress@gmail.com Р. М. Балабай balabai@i.ua В. Б. Ніколенко vv.nikolenko913@gmail.com <p>У статті проведено чисельне моделювання просторових розподілів густини валентних електронів та кулонівського потенціалу у поперечному напрямку трибоелектричного контакту силікону із зім’ятими золотими плівками. Визначено локальні електричні заряди в околі атомів Au, задіяних у контакті, та проаналізовано їхню залежність від морфології поверхні й сили взаємодії. Показано, що зменшення зовнішнього стискального зусилля силікону, еквівалентне віддаленню силікону від пласкої плівки золота, призводить до вирівнювання зарядових станів контактуючих атомів і більш однорідного розподілу заряду на поверхні золотої плівки, при цьому різниця потенціалів на межі контакту зростає. Аналіз впливу ступеня зім’ятості структури свідчить, що збільшення нерівностей у золотих плівках зумовлює підвищення локальних зарядів на атомах Au та посилює різницю кулонівських потенціалів на трибоелектричному контакті.</p> 2025-12-23T00:00:00+02:00 Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології http://semst.onu.edu.ua/article/view/339704 РОЗРОБКА ТА МОДЕЛЮВАННЯ УФ-ФОТОРЕЗИСТИВНОГО МОДУЛЯ НА ОСНОВІ ТОНКОПЛІВКОВОГО ОКСИДУ ЦИНКУ 2025-09-21T13:00:38+03:00 І. С. Вірт isvirt@dspu.edu.ua І. В. Падалка ivan.padalka@dspu.edu.ua <p>У статті описано фотоелектричні властивості змодельованого формуючого і підсилювального каскадів у фотоприймачі, який виявляє ультрафіолетове випромінювання. Створено модуль, що містить монолітний сенсорний індикаторний пристрій на основі базового фоторезистора з оксиду цинку та трансімпедансного підсилювача (transimpedance amplifier <em>(TIA)</em>). На основі отриманих результатів запропоновано та протестовано простий детектор випромінювання з двокаскадним диференціальним підсилювачем. За напруги зміщення 4 В була отримана чутливість фотомодуля 5·10<sup>4</sup> В/Вт. Порівняно шум каскадів у режимах темнового струму та при освітленні стандартним промисловим світлодіодом і проаналізовано смугу пропускання сигналу.</p> 2025-12-23T00:00:00+02:00 Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології http://semst.onu.edu.ua/article/view/343569 ОПТИЧНИЙ ЗОНД ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ ОДНОРІДНОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ ДЕТЕКТОРІВ В ІЧ ДІАПАЗОНІ 2025-11-15T09:18:45+02:00 О. Г. Голенков golenkov@isp.kiev.ua А. В. Шевчик-Шекера shevchik-shekera@isp.kiev.ua В. В. Забудський zvv1968@yahoo.com І. О. Лисюк lysiuk@isp.kiev.ua З. Ф. Цибрій tsybrii@isp.kiev.ua А. С. Станіславський anstan1939@gmail.com С. В. Корінець vsekori@yahoo.com А. Ю. Шекера andrii.shekera@isp.kiev.ua <p>Запропоновано конструкцію оптичного зонда для вимірювання параметрів детекторів інфрачервоного діапазону, таких як, ефективна фоточутлива площа, однорідність фоточутливості по поверхні та коефіцієнт фотоелектричного зв’язку. Експериментально та теоретично оцінено діаметр плями оптичного зонда та проведено апробування оптичного зонда на прикладі визначення однорідності фоточутливості по поверхні InSb фотодіоду на довжині хвилі 4,3 мкм.</p> 2025-12-23T00:00:00+02:00 Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології http://semst.onu.edu.ua/article/view/347718 ЛЮМІНЕСЦЕНТНИЙ СЕНСОР НА ОСНОВІ КОЛОЇДНИХ НАНОКРИСТАЛІВ ОКСИДУ ЦИНКУ 2025-12-23T10:34:33+02:00 С. Ф. Гусейнова huseynova@stud.onu.edu.ua К. Є. Берков huseynova@stud.onu.edu.ua <p>Проведено дослідження впливу іонів важких металів на довгохвильову люмінесценцію колоїдних нанокристалів оксиду цинку. Показано, що додавання іонів кадмію призводить до зростання інтенсивності червоно-жовтої люмінесценції, а свинцю – блакитної. Запропонований механізм роботи сенсора, який пов’язаний з перерозподілом концентрації власних дефектів, що визначають довгохвильову люмінесценцію оксиду цинку.</p> 2025-12-23T00:00:00+02:00 Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології