Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ФОРМУВАННЯ ОМІЧНОГО КОНТАКТУ В МІКРОЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЯХ З ПІДКЛАДКАМИ ЗІ ШПАРИСТОЮ ПОВЕРХНЕЮ

2024-12-24T13:15:40+02:00

В технології приладобудування, зокрема технології елементної бази електроніки, (гібридні інтегральні схеми (ГІС), сенсори різного призначення тощо), що використовує ансамблі наночастинок напівпровідникових та інших матеріалів у шпаристій матриці, нерідко мають місце проблеми формування омічних контактів до зазначених систем особливо коли використовуються в якості підкладок матеріали зі шпаристою поверхнею. А, як відомо, якість контактів головним чином визначає надійність пристроїв, систем і радіоелектронної апаратури в цілому. Нами запропоновано і досліджено новий ефективний спосіб формування омічного контакту на підкладках зі шпаристою поверхнею, зокрема, скла.

ХІМІЧНІ СЕНСОРИ ІЗ МЕМРИСТИВНИМИ ВЛАСТИВОСТЯМИ (ОГЛЯД)

2024-11-19T12:32:20+02:00

У статті наведено стислий огляд літературних даних, що стосуються принципів функціонування і параметрів наразі створених напівпровідникових гетероструктур із мемристивними властивостями, у яких перемикання електричного опору здійснюється за рахунок різних фізико-хімічних принципів. Розглянуті гетероструктури є перспективними з точки зору їхнього застосування у ролі як дискретних газочутливих та біосенсорних комірок із покращеними експлуатаційними характеристиками, так і елементів багатосенсорних нейроморфних матриць систем типу «електронний ніс».

АНАЛІТИЧНА МОДЕЛЬ ДЛЯ НАПРУГИ ПЕРЕМИКАННЯ І КОЕФІЦІЄНТА ПІДСИЛЕННЯ CMOS ІНВЕРТОРА З НАНОКАНАЛЬНИМИ 2D ТРАНЗИСТОРАМИ

2024-12-24T13:14:54+02:00

В роботі побудовано аналітичну модель для напруги перемикання і коефіцієнта підсилення CMOS інвертора з наноканальними 2D транзисторами. Одержані вирази дозволяють змоделювати значення цих двох основних параметрів пристрою, що є базою для логічних елементів сучасної нанонелектроніки. Підтверджено можливість створення ефективних інверторів з великим коефіцієнтом підсилення на основі транзисторів з каналами з 2D моношарів дихалькогенідів перехідних металів та з наборів вуглецевих нанотрубок. Показано, що фактором, який обмежує коефіцієнт підсилення, є небажаний у транзисторах ефект зниження канального бар’єру за рахунок стоку (за прямування цього ефекту до нуля коефіцієнт підсилення прямує до нескінченності).

КОЕФІЦІЄНТ МІЖПІДЗОННОГО ОПТИЧНОГО ПОГЛИНАННЯ КВАНТОВОЇ ТОЧКИ З АКЦЕПТОРНОЮ ДОМІШКОЮ В ПРИКЛАДЕНОМУ ЕЛЕКТРИЧНОМУ ПОЛІ

2024-11-16T19:17:05+02:00

У роботі досліджено сферичну квантову точку (КТ) під впливом зовнішнього електричного поля. Застосовано багатозонну модель валентної зони. Проаналізовано вплив нецентральної акцепторної домішки, електричного поля та дисперсії розміру КТ на коефіцієнт поглинання при міжпідзонних переходах між дірковими станами. Результати показують, що електричне поле в поєднанні з нецентральною домішкою викликає появу двох чітких смуг поглинання, що відповідають різним магнітним квантовим числам. Інтенсивність смуг поглинання залежить від напрямку і напруженості електричного поля, причому значні відмінності спостерігаються між полями протилежної полярності. Важливо відзначити, що існує критична напруженість поля, яка відновлює виродження енергетичних рівнів, звужуючи широкосмуговий хвіст поглинання для систем з малими або великими розмірами дисперсії. Це дослідження спрямоване на покращення розуміння та оптимізацію оптичних властивостей наноматеріалів.