Сенсорна електроніка і мікросистемні технології http://semst.onu.edu.ua/ <p>Науковий журнал <strong>«Сенсорна електроніка і мікросистемні технології»</strong>, заснований у 2003 році, публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:</p> <ul> <li>Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори</li> <li>Проектування і математичне моделювання сенсорів</li> <li>Сенсори фізичних величин</li> <li>Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори</li> <li>Акустоелектронні сенсори</li> <li>Хімічні сенсори</li> <li>Біосенсори</li> <li>Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)</li> <li>Матеріали для сенсорів</li> <li>Технологія виробництва сенсорів</li> <li>Сенсори та інформаційні системи</li> <li>Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)</li> <li>Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.</li> </ul> <p><strong>ISSN </strong><a style="background-color: #ffffff;" href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">1815-7459</a> (друкована версія) <strong>eISSN </strong><a style="background-color: #ffffff;" href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/2415-3508" target="_blank" rel="noopener">2415-3508</a> (онлайн-версія)<br /><strong>DOI </strong><a href="https://www.doi.org/10.18524/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">10.18524/1815-7459</a></p> <p><strong>Свідоцтво про державну реєстрацію друкованого засобу масової інформації</strong> <em>(чинне до 31 березня 2024 р.)</em>:<br /><a href="http://semst.onu.edu.ua/libraryFiles/downloadPublic/2069" target="_blank" rel="noopener">КВ № 8131 від 13.11.2003 р.</a></p> <p>Згідно з Рішенням Національної ради України з питань телебачення і радіомовлення <a href="https://webportal.nrada.gov.ua/decisions/pro-zayavy-odeskogo-natsionalnogo-universytetu-imeni-i-i-mechnykova-m-odesa-shhodo-reyestratsiyi-sub-yekta-u-sferi-drukovanyh-media-oprylyudneno-29-03-2024/" target="_blank" rel="noopener">№ 1050 від 28.03.2024 р.</a> журнал зареєстрований як друковане медіа і внесений до <strong>Реєстру суб'єктів у сфері медіа</strong> з ідентифікатором <strong>R30-03678</strong>.</p> <p>Журнал внесено до <strong><a href="https://nfv.ukrintei.ua/view/5b1925e27847426a2d0ab644" target="_blank" rel="noopener">категорії «Б»</a></strong> <strong>Переліку наукових фахових видань України </strong>наказами Міністерства освіти і науки України:<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-6-bereznya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 409 від 17.03.2020 р.</a> в галузі <strong>«Фізико-математичні науки»</strong> за спеціальностями <strong>104 Фізика та астрономія</strong> і <strong>105 Прикладна фізика та наноматеріали</strong>;<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-2-lipnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 886 від 02.07.2020 р.</a> в галузі <strong>«Технічні науки»</strong> за спеціальністю <strong>171 Електроніка</strong>;<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-24-veresnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 1188 від 24.09.2020 р.</a> в галузі <strong>«Біологічні науки»</strong> за спеціальністю <strong>091 Біологія та біохімія</strong>.</p> <p><strong>Періодичність виходу: </strong>4 рази на рік<br /><strong>Мови видання: </strong>англійська, українська<br /><strong>Засновник: </strong><a href="http://onu.edu.ua/uk/">Одеський національний університет імені І. І. Мечникова</a><br /><strong>Головний редактор: </strong>Сминтина Валентин Андрійович, д-р фіз.-мат. наук, проф. <br /><strong>Заступник головного редактора: </strong>Лепіх Ярослав Ілліч, д-р фіз.-мат. наук, проф. <br /><strong>Адреса редакції: </strong>Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, вул. Дворянська, 2, м. Одеса, Україна 65082<br /><strong>Електронна адреса: </strong><a href="mailto:semst-journal@onu.edu.ua">semst-journal@onu.edu.ua</a><br /><strong>Попередня версія сайту:</strong> <a href="http://old.semst.onu.edu.ua">http://old.semst.onu.edu.ua</a></p> <p><strong>Журнал реферується та індексується в таких базах даних:</strong> <a href="http://dspace.onu.edu.ua:8080/handle/123456789/13197">Інституційний репозитарій Одеського національного університету ім. І. І. Мечникова</a>; <a href="http://www.irbis-nbuv.gov.ua/cgi-bin/irbis_nbuv/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&amp;I21DBN=UJRN&amp;P21DBN=UJRN&amp;S21STN=1&amp;S21REF=10&amp;S21FMT=juu_all&amp;C21COM=S&amp;S21CNR=20&amp;S21P01=0&amp;S21P02=0&amp;S21P03=PREF=&amp;S21COLORTERMS=0&amp;S21STR=seimt">«Наукова періодика України» Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського</a>; <a href="http://www.irbis-nbuv.gov.ua/cgi-bin/irbis_nbuv/cgiirbis_64.exe?Z21ID=&amp;I21DBN=REF&amp;P21DBN=REF&amp;S21STN=1&amp;S21REF=10&amp;S21FMT=fullwebr&amp;C21COM=S&amp;S21CNR=20&amp;S21P01=0&amp;S21P02=0&amp;S21P03=I=&amp;S21COLORTERMS=1&amp;S21STR=%D0%9624835">«Україніка наукова»</a>; <a href="http://jml.indexcopernicus.com/search/details?id=33098">Index Copernicus Journals Master List</a>; <a href="http://ulrichsweb.serialssolutions.com/login">Ulrich’s Periodicals Directory</a>; <a href="https://scholar.google.com.ua/scholar?as_q=&amp;as_epq=&amp;as_oq=&amp;as_eq=&amp;as_occt=any&amp;as_sauthors=&amp;as_publication=Sensor+Electronics+and+Microsystem+Technologies&amp;as_ylo=&amp;as_yhi=&amp;btnG=&amp;hl=uk&amp;as_sdt=1%2C5">Google Академія</a>; <a href="https://www.worldcat.org/search?qt=worldcat_org_all&amp;q=1815-7459">WorldCat</a>; <a href="https://www.ebsco.com/products/research-databases/applied-science-technology-source-ultimate">EBSCO Applied Science &amp; Technology Source Ultimate</a>.</p> uk-UA <p>Авторське право переходить Видавцю.</p> semst-journal@onu.edu.ua (Лепіх Ярослав Ілліч / Lepikh Yaroslav) semst-journal@onu.edu.ua (Балабан Андрій Петрович / Balaban Andrii) Wed, 27 Dec 2023 00:00:00 +0200 OJS 3.2.1.2 http://blogs.law.harvard.edu/tech/rss 60 НАНОСТРУКТУРОВАНЕ ШПАРИСТЕ СИЛІКАТНЕ СКЛО ЯК ПЕРСПЕКТИВНИЙ МАТЕРІАЛ ДЛЯ СЕНСОРІКИ (Огляд) http://semst.onu.edu.ua/article/view/294629 <p>Огляд присвячено дослідженню можливостей використання шпаристих силікатних стекол у сенсориці. Зазначені речовини є перспективними через власну хімічну стійкість, механічну тривкість та значну розгорнутість внутрішньої поверхні шпарин. Завдяки особливостям своєї будови ці стекла можуть використовуватися як матриця для формування ансамблів наночастинок слушних речовин, які здатні утворити всередині шпаристого зразка провідну фазу.</p> І. К. Дойчо, Я. І. Лепіх Авторське право (c) 2023 http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 http://semst.onu.edu.ua/article/view/294629 Wed, 27 Dec 2023 00:00:00 +0200 ПРИРОДА ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ КОЛОЇДНИХ НАНОКРИСТАЛІВ ОКСИДУ ЦИНКУ http://semst.onu.edu.ua/article/view/294626 <p>Проведено дослідження оптичного поглинання та фотолюмінесценції люмінесценцію колоїдних нанокристалів оксиду цинку. Дослідження спектрів оптичного поглинання показало, що основними факторами, що визначають розмір нанокристалітів є концентрація прекурсорів та наявність стабілізаторів росту. Показано, що окрім добре дослідженої крайової та зеленої люмінесценції для нанокристалів оксиду цинку є притаманним ефективне випромінювання в синьо-блакитній та жовто-помаранчевій областях спектру. Встановлено, що випромінювання в видимій області спектру визначаються випромінювальними переходами в межах донорно-акцепторних пар, утворених власними дефектами.</p> Ю. А. Ніцук, С. Ф. Гусейнова, Є. О. Мамойленко, Я. І. Лепіх, Ю. Ф. Ваксман, Г. В. Коренкова Авторське право (c) 2023 http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 http://semst.onu.edu.ua/article/view/294626 Wed, 27 Dec 2023 00:00:00 +0200 ВПЛИВ ВИХРОВИХ СТРУМІВ НА ПАРАМЕТРИ АНІЗОТРОПНОГО УНІПОЛЯРНОГО ТЕРМОЕЛЕМЕНТА http://semst.onu.edu.ua/article/view/294630 <p>Проведена оцінка впливу вихрових термоелектричних і електричних струмів та вихрових теплових потоків на величину поперечного термоЕРС <em>E</em><sub>⊥</sub> і ККД <em>η </em>анізотропного уніполярного термоелемента. У випадку поперечного термоЕРС анізотропного уніполярного термоелемента оцінка такого впливу проводилась з врахуванням вихрового струму який обумовлений анізотропією термоЕРС, а для оцінки ККД <em>η</em> – з врахуванням вихрових струмів, що обумовлені анізотропією коефіцієнтів термоЕРС <em>α<sub>i</sub></em>, електропровідності <em>σ<sub>ik</sub></em> і теплопровідності <em>κ<sub>ik</sub></em> (<em>i</em>, <em>k</em> = 1..3). Результати досліджень показали, що вплив вихрового термоелектричного струму веде до зміни значення оптимального кута нахилу <em>γ</em> та деякого зменшення величини поперечного термоЕРС <em>E</em><sub>⊥</sub>. ККД <em>η</em> під дією вихрових термоелектричних і електричних струмів та вихрового теплового потоку зазнає значнішого впливу. Проведені дослідження показують, що такі анізотропні уніполярні термоелементи на основі стандартних анізотропних уніполярних матеріалів (наприклад, <em>CdSb</em> – антимонід кадмію) можуть бути використано у якості сенсорів приймачів прохідного типу для контролю густини лазерного випромінювання у спектральному діапазоні 2,9–40,0 мкм.</p> А. А. Ащеулов, О. С. Веренко, М. Я. Дерев’янчук, Д. О. Лавренюк Авторське право (c) 2023 http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 http://semst.onu.edu.ua/article/view/294630 Wed, 27 Dec 2023 00:00:00 +0200 МЕТОД ЗНИЖЕННЯ РІВНЯ ЗВОРОТНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ХВИЛЬ АПЕРТУРНИХ АНТЕН http://semst.onu.edu.ua/article/view/294631 <p>Запропоновано та розроблено метод, що дозволяє суттєво знизити рівень зворотного випромінювання електромагнітних хвиль антен апертурного типу будь-якої конструкції. Суть методу полягає у збудженні уповільнених поверхневих хвиль на зовнішній стороні кромки апертури антени, що знаходяться у протифазі з електромагнітними хвилями зворотного випромінювання. Уповільнені поверхневі хвилі формуються імпедансною металевою гребінкою, що виконує функцію уповільнюючої системи, розміщеної на зовнішній стороні кромки розкриття антени.</p> Я. І. Лепіх, А. О. Карпенко Авторське право (c) 2023 http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 http://semst.onu.edu.ua/article/view/294631 Wed, 27 Dec 2023 00:00:00 +0200 ВИЗНАЧЕННЯ ВПЛИВУ ТЕМПЕРАТУРНОЇ ТА УФ ОБРОБКИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИФЕРЕНЦІЙНИХ ІСПТ ЕЛЕКТРОДІВ http://semst.onu.edu.ua/article/view/294628 <p>При використанні біосенсорів на основі іон-селективних польових транзисторів (ІСПТ) виникає необхідність в обробці поверхневого діелектричного шару транзисторів, що може включати нагрівання кристалів ІСПТ у електродній збірці, опромінення їх ультрафіолетовими (УФ) променями, та проведення ряду додаткових хімічних обробок кристалів. Робота присвячена визначенню впливу подібного роду обробок на характеристики транзисторних елементів. Експерименти на ряді як нових, так і вживаних зразків диференційних ІСПТ показали, що УФ-обробка значно впливає на їх характеристики (порогову напругу та різницю струмів каналів). Запропоновано введення попередньої УФ-обробки електродів для стабілізації характеристик ІСПТ та можливості виконання подальших операцій УФ-опромінення при нанесенні на електроди біомембран з фотополімерними властивостями. Визначено границі допустимих температур нагріву ІСПТ електродів різними методами, які не призводить до виходу їх з ладу. Досліджено вплив ряду додаткових хіміко-технологічних обробок на характеристики ІСПТ електродів, а також розглянуто модифікацію ІСПТ-кристалів наночастинками золота та срібла з метою покращення їх здатності до іммобілізації біореагентів.</p> О. Л. Кукла, А. С. Павлюченко, В. М. Архипова, А. Еррашид, С. В. Дзядевич Авторське право (c) 2023 http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0 http://semst.onu.edu.ua/article/view/294628 Wed, 27 Dec 2023 00:00:00 +0200