Інформація про автора

Неізвестний, І. Г., Інститут фізики напівпровідників ім. А. В. Ржанова СО РАН, Російська Федерація

  • Том 8, № 1 (2011) - Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
    ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ В PbSnTe:In ПРИ ІНЖЕКЦІЇ ЕЛЕКТРОНІВ
    Анотація  PDF (Русский)