Інформація про автора

Голтвянський, Ю. В., Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна

  • Том 10, № 2 (2013) - Проектування і математичне моделювання сенсорів
    РОЗРАХУНОК ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ІОНОСЕЛЕКТИВНИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ: ТЕОРЕТИЧНІ ТА ПРАКТИЧНІ АСПЕКТИ
    Анотація  PDF