Інформація про автора

Olih, Ya. M., Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна

  • Том 4, № 2 (2007) - Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
    ПОЛІПШЕННЯ ФОТОЧУТЛИВОСТІ Si-СЕНСОРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ МЕТОДОМ АКУСТОСТИМУЛЬОВАНОЇ ІМПЛАНТАЦІЇ ЙОНІВ БОРУ ТА АРСЕНУ
    Анотація  PDF