АНАЛІТИЧНА МОДЕЛЬ ДЛЯ ПІДПОРОГОВОГО РОЗКИДУ В MOSFET З ВИТОКОМ НА ОСНОВІ ХОЛОДНОГО МЕТАЛУ - Стріха, М. В.; Корж, К. О. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2023)
У рамках узагальненої транспортної моделі Ландауера-Датта-Лундстрома одержано аналітичну формулу для підпорогового розкиду в MOSFET з витоком на основі холодного металу, де через невелику ширину валентної зони інжектовані в канал транзистора електрони вже не мають у розподілі за енергіями «гарячого» Больцманового «хвоста». Показано, що для такого випадку підпороговий розкид при кімнатній температурі стає нижчим від граничного значення S = ln 10(kT/e) ≈ 60 мВ/декада. Цей ефект може бути використано для зниження напруги живлення транзисторів та їх подальшої мініатюризації.