ФОРМУВАННЯ ТА ОБРОБКА ІНДІЄВИХ СТОВПІВ ДЛЯ ЗБІРКИ МАТРИЧНИХ ФОТОПРИЙОМНИХ ПРИСТРОЇВ МЕТОДОМ ПЕРЕВЕРНЕНОГО КРИСТАЛА - Paulish, A. G.; Biktashov, A. M.; Kuzmin, N. B.; Kosulina, I. G.; Novoselov, A. R. (Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2007)
У роботі досліджені властивості індієвих стовпів, що використовуються для збірки гібридних матричних фотоприйомних пристроїв ІЧ-діапазону на основі ІnAs, CdHgTe і кремнієвого комутатора. Показано, що індієві стовпи, виготовлені вакуумним напиленням і наступною фотолітографією, містять більш твердий поверхневий шар, ніж об'ємний індій. Даний шар має низькі адгезійні властивості і перешкоджає холодному зварюванню індієвих стовпів при збірці матричних фотоприйомних пристроїв. Розроблені в даній роботі мето-ди прецизійного видалення поверхневого шару дозволили більш ніж на порядок збільшити силу адгезії стовпів і, тим самим, збільшити надійність фотоприйомного пристрою.