Сенсорна електроніка і мікросистемні технології https://semst.onu.edu.ua/ <div class="page"> <p><img style="float: left; padding-right: 55px; padding-bottom: 10px; padding-top: 15px;" src="https://semst.onu.edu.ua/libraryFiles/downloadPublic/2675" alt="" width="155" height="218" />Науковий рецензований журнал <strong>«Сенсорна електроніка і мікросистемні технології»</strong>, заснований у 2003 році, публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:</p> <ul> <li>Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори</li> <li>Проектування і математичне моделювання сенсорів</li> <li>Сенсори фізичних величин</li> <li>Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори</li> <li>Акустоелектронні сенсори</li> <li>Хімічні сенсори</li> <li>Біосенсори</li> <li>Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)</li> <li>Матеріали для сенсорів</li> <li>Технологія виробництва сенсорів</li> <li>Сенсори та інформаційні системи</li> <li>Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)</li> <li>Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.</li> </ul> <p>Журнал застосовує <em>модель <strong>«діамантового» відкритого доступу</strong></em>, що забезпечує безоплатну публікацію статей на умовах ліцензії <a href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.uk" target="_blank" rel="noopener">CC BY 4.0</a> для авторів (зокрема здобувачів третього рівня вищої освіти) і безоплатний доступ до публікацій для читачів.</p> <p><strong>ISSN </strong><a href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">1815-7459</a> (друкована версія) <strong>eISSN </strong><a href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/2415-3508" target="_blank" rel="noopener">2415-3508</a> (онлайн-версія)<br /><strong>DOI </strong><a href="https://doi.org/10.18524/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">10.18524/1815-7459</a></p> <p><strong>Засновник та видавець: </strong><a href="http://onu.edu.ua/uk/" target="_blank" rel="noopener">Одеський національний університет імені І. І. Мечникова</a><strong><br />ROR: </strong><a href="https://ror.org/03b6cpn03" target="_blank" rel="noopener">03b6cpn03</a><br /><strong>Префікс DOI видавця: </strong>10.18524</p> <p><span style="color: #000000;"><strong>Суб’єкт у сфері друкованих медіа: </strong><a href="http://onu.edu.ua/uk/" target="_blank" rel="noopener">Одеський національний університет імені І. І. Мечникова</a><br />вул. Змієнка Всеволода, буд. 2, м. Одеса, 65082, Україна<br />Телефон: +38 (048) 7235254<br />Електронна адреса: <a href="mailto:rector@onu.edu.ua">rector@onu.edu.ua</a><br />Код за ЄДРПОУ: 02071091</span></p> <p>Згідно з Рішенням Національної ради України з питань телебачення і радіомовлення <a href="https://webportal.nrada.gov.ua/decisions/pro-zayavy-odeskogo-natsionalnogo-universytetu-imeni-i-i-mechnykova-m-odesa-shhodo-reyestratsiyi-sub-yekta-u-sferi-drukovanyh-media-oprylyudneno-29-03-2024/" target="_blank" rel="noopener">№ 1050 від 28.03.2024 р.</a> журнал зареєстрований як друковане медіа і внесений до <strong>Реєстру суб'єктів у сфері медіа</strong> з ідентифікатором <strong>R30-03678</strong></p> <p><strong>Свідоцтво про державну реєстрацію друкованого засобу масової інформації</strong>:<br /><a href="http://semst.onu.edu.ua/libraryFiles/downloadPublic/2069" target="_blank" rel="noopener">КВ № 8131 від 13.11.2003 р.</a></p> <p>Журнал внесено до <strong><a href="https://nfv.ukrintei.ua/view/5b1925e27847426a2d0ab644" target="_blank" rel="noopener">категорії «Б»</a></strong> <strong>Переліку наукових фахових видань України </strong>наказами Міністерства освіти і науки України:<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-6-bereznya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 409 від 17.03.2020 р.</a> в галузі <strong>Фізико-математичні науки</strong> за спеціальностями <strong>104 Фізика та астрономія</strong> і <strong>105 Прикладна фізика та наноматеріали</strong><br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-2-lipnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 886 від 02.07.2020 р.</a> в галузі <strong>Технічні науки</strong> за спеціальністю <strong>171 Електроніка</strong><br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-24-veresnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 1188 від 24.09.2020 р.</a> в галузі <strong>Біологічні науки</strong> за спеціальністю <strong>091 Біологія та біохімія</strong></p> <p>Галузь знань і спеціальність (відповідно до <a href="https://zakon.rada.gov.ua/laws/show/266-2015-%D0%BF#n11" target="_blank" rel="noopener">Переліку галузей знань і спеціальностей, за якими здійснюється підготовка здобувачів вищої та фахової передвищої освіти</a> згідно з постановою Кабінету Міністрів України від 29 квітня 2015 р. № 266 в редакції постанови Кабінету Міністрів України від 30 серпня 2024 р. № 1021):<br />E Природничі науки, математика та статистика: <strong>E1 Біологія та біохімія</strong>, <strong>E5 Фізика</strong> <strong>та астрономія</strong>, <strong>E6 Прикладна фізика та наноматеріали</strong><br />G Інженерія, виробництво та будівництво: <strong>G5 Електроніка, електронні комунікації, приладобудування та радіотехніка</strong></p> <p><strong>Періодичність виходу: </strong>4 рази на рік<br /><strong>Мови видання: </strong>англійська, українська<br /><strong>Головний редактор: </strong>Лепіх Ярослав Ілліч, д-р фіз.-мат. наук, проф. <br /><strong>Адреса редакції: </strong>вул. Змієнка Всеволода, 2, м. Одеса, Україна 65082<br /><strong>Електронна адреса: </strong><a href="mailto:semst-journal@onu.edu.ua">semst-journal@onu.edu.ua</a></p> </div> Одеський національний університет імені І. І. Мечникова uk-UA Сенсорна електроніка і мікросистемні технології 1815-7459 ОПТИМІЗАЦІЯ СТРУКТУРИ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ НА ОСНОВІ ПЛІВКИ ВІДНОВЛЕНОГО ОКСИДУ ГРАФЕНУ ДЛЯ ФОТО- ТА ГАЗОЧУТЛИВИХ ЗАСТОСУВАНЬ https://semst.onu.edu.ua/article/view/355911 <p>Досліджено особливості використання польових транзисторів на основі плівки відновленого оксиду графену (RGO), нанесеної на поверхню анодно та термічно окисненого поруватого кремнію, як фотодетекторів і газоадсорбційних сенсорів. Виявлено підвищення ефективності створених польових транзисторів у результаті термічного окиснення поруватого шару або осадження додаткового шару SiO₂ на поверхню анодно окисненого поруватого кремнію. Встановлено, що фото- та адсорбційна чутливість польових транзисторів з RGO-каналом залежить як від якості ізоляційного шару, так і наявності захисного SiO₂ покриття на плівці RGO. Зокрема, найбільшою фоточутливістю характеризуються польові транзистори з ізоляційним шаром анодно окисненого поруватого кремнію. І навпаки, графеновий польовий транзистор з термічно окисненим поруватим кремнієм майже нечутливий до видимого світла, проте демонструє максимальний відгук на адсорбцію молекул води. Захисний шар SiO₂ майже не впливає на фоточутливість польових транзисторів на основі RGO, але суттєво зменшує вплив атмосфери на їхню провідність.</p> І. Б. Оленич Л. С. Монастирський А. Ю. Козак В. Я. Бойко О. О. Сінькевич Авторське право (c) 2026 І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, А. Ю. Козак, В. Я. Бойко, О. О. Сінькевич http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 2026-04-20 2026-04-20 23 1 27 34 10.18524/1815-7459.2026.1.355911 ЕНЕРГЕТИЧНІ СТАНИ ІОНІВ ЗАЛІЗА В НАНОКРИСТАЛАХ ОКСИДУ ЦИНКУ https://semst.onu.edu.ua/article/view/355912 <p>Досліджені оптичне поглинання та фотолюмінесценція нанокристалів ZnO:Fe, отриманих методом хімічного осадження. Встановлено що розмір нанокристалітів визначається концентрацією прекурсорів. Показано, що легування залізом призводить до утворення енергетичних станів іону Fe²⁺ в забороненій зоні нанокристалів оксиду цинку, що призводить до утворення ліній ультрафіолетового та видимого випромінювання. Порівнянням з розрахованими значеннями енергій в наближенні слабкого кристалічного поля ідентифікована природа внутришньоцентрових оптичних та випромінювальних переходів.</p> Ю. А. Ніцук С. Ф. Гусейнова Авторське право (c) 2026 Ю. А. Ніцук, С. Ф. Гусейнова http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 2026-04-20 2026-04-20 23 1 35 41 10.18524/1815-7459.2026.1.355912 ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДІЯЛЬНОСТІ ВІДДІЛЕННЯ ФІЗИКИ І АСТРОНОМІЇ НАН УКРАЇНИ У 2020–2025 РОКАХ https://semst.onu.edu.ua/article/view/355909 <p><em><strong>Від редакції</strong></em></p> <p><em>І цього разу знайшла продовження традиція публікації в нашому журналі статті за матеріалами доповіді академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАН України академіка Локтєва Вадима Михайловича за результатами діяльності установ Відділення.</em></p> <p><em>Відмінність полягає в тому, що звіт зроблено не річний, а за більш тривалий час 2020–2025 роки. Відсутній також аспект існуючих проблем у вітчизняній науці і освіті загалом, хоча частково це відображено в аналізі кадрових проблем лише Відділення.</em></p> <p><em>В статті відображені значні досягнення в різних наукових напрямах фізики різними інститутами, а це для нашого мультидисциплінарного журналу дуже актуально і цікаво. З цього приводу редакція отримує від авторів і читачів позитивні відгуки. Впевнені, що і цього разу буде така ж реакція, і за це ми від імені читачів і редакції висловлюємо шановному Вадиму Михайловичу щиро вдячність.</em></p> <p><strong> </strong></p> <p>У статті подано огляд діяльності Відділення фізики і астрономії НАН України у 2020–2025 роках. Розглянуто основні напрями наукових досліджень та найважливіші результати, отримані установами Відділення у галузях фізики конденсованого стану, нанофізики, астрофізики, радіофізики та квантових технологій.</p> В. М. Локтєв В. В. Гладковський Авторське право (c) 2026 В. М. Локтєв, В. В. Гладковський http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 2026-04-20 2026-04-20 23 1 4 16 10.18524/1815-7459.2026.1.355909 МЕТОДИ ФРАКТАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОДИНАМІКИ ДЛЯ ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ І МІНІАТЮРИЗАЦІЇ ВИПРОМІНЮВАЧІВ (ОГЛЯД) https://semst.onu.edu.ua/article/view/355910 <p>Проведено аналіз розвитку фрактальних методів в електродинаміці для удосконалення перетворювачів, головним чином на прикладі антен з акцентом на їх інтеграцію в безпілотні літальні апарати (БПЛА). Ключова проблема проектування таких антен полягає у протиріччі між вимогами надширокополосності (400–7000 МГц) і жорсткими обмеженнями на масогабаритні та аеродинамічні характеристики, яким традиційні геометричні параметри не відповідають.</p> <p>Проаналізовано гібридні підходи, що об’єднують геометрії Коха, Серпінського та Мінківського, а також способи розширення смуги пропускання через використання дефектних структур заземлення (DGS) та метаматеріалів.</p> <p>Виявлено спеціалізовані конструкції, такі як FeathR™, оптимізовані для радіоелектронних завдань боротьби при збереженні низької радіолокаційної видимості. Представлені в огляді рішення підтверджують можливість ефективного безперервного покриття спектру частот від 400 МГц до 7 ГГц та вище.</p> Я. І. Лепіх А. О. Карпенко А. П. Балабан Авторське право (c) 2026 Я. І. Лепіх, А. О. Карпенко, А. П. Балабан http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 2026-04-20 2026-04-20 23 1 17 26 10.18524/1815-7459.2026.1.355910