Сенсорна електроніка і мікросистемні технології https://semst.onu.edu.ua/ <div class="page"> <p><img style="float: left; padding-right: 55px; padding-bottom: 10px; padding-top: 15px;" src="https://semst.onu.edu.ua/libraryFiles/downloadPublic/2675" alt="" width="155" height="218" />Науковий рецензований журнал <strong>«Сенсорна електроніка і мікросистемні технології»</strong>, заснований у 2003 році, публікує статті, короткі повідомлення, листи до Редакції, а також коментарі, що містять результати фундаментальних і прикладних досліджень, за наступними напрямками:</p> <ul> <li>Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори</li> <li>Проектування і математичне моделювання сенсорів</li> <li>Сенсори фізичних величин</li> <li>Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори</li> <li>Акустоелектронні сенсори</li> <li>Хімічні сенсори</li> <li>Біосенсори</li> <li>Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)</li> <li>Матеріали для сенсорів</li> <li>Технологія виробництва сенсорів</li> <li>Сенсори та інформаційні системи</li> <li>Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)</li> <li>Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів.</li> </ul> </div> <p>Журнал застосовує <em>модель <strong>«діамантового» відкритого доступу</strong></em>, що забезпечує безоплатну публікацію статей на умовах ліцензії <a href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.uk" target="_blank" rel="noopener">CC BY 4.0</a> для авторів (зокрема здобувачів третього рівня вищої освіти) і безоплатний доступ до публікацій для читачів.</p> <p><strong>ISSN </strong><a style="background-color: #ffffff;" href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">1815-7459</a> (друкована версія) <strong>eISSN </strong><a style="background-color: #ffffff;" href="https://portal.issn.org/resource/ISSN/2415-3508" target="_blank" rel="noopener">2415-3508</a> (онлайн-версія)<br /><strong>DOI </strong><a href="https://www.doi.org/10.18524/1815-7459" target="_blank" rel="noopener">10.18524/1815-7459</a></p> <p><strong>Засновник та видавець: </strong><a href="http://onu.edu.ua/uk/" target="_blank" rel="noopener">Одеський національний університет імені І. І. Мечникова</a><strong><br />ROR: </strong><a href="https://ror.org/03b6cpn03" target="_blank" rel="noopener">03b6cpn03</a></p> <p><strong>Свідоцтво про державну реєстрацію друкованого засобу масової інформації</strong>:<br /><a href="http://semst.onu.edu.ua/libraryFiles/downloadPublic/2069" target="_blank" rel="noopener">КВ № 8131 від 13.11.2003 р.</a></p> <p><span style="color: #000000;"><strong>Суб’єкт у сфері друкованих медіа: </strong><a href="http://onu.edu.ua/uk/" target="_blank" rel="noopener">Одеський національний університет імені І. І. Мечникова</a><br />вул. Змієнка Всеволода, буд. 2, м. Одеса, 65082, Україна<br />Телефон: +38 (048) 7235254<br />Електронна адреса: <a href="mailto:rector@onu.edu.ua">rector@onu.edu.ua</a><br />Код за ЄДРПОУ: 02071091</span></p> <p>Згідно з Рішенням Національної ради України з питань телебачення і радіомовлення <a href="https://webportal.nrada.gov.ua/decisions/pro-zayavy-odeskogo-natsionalnogo-universytetu-imeni-i-i-mechnykova-m-odesa-shhodo-reyestratsiyi-sub-yekta-u-sferi-drukovanyh-media-oprylyudneno-29-03-2024/" target="_blank" rel="noopener">№ 1050 від 28.03.2024 р.</a> журнал зареєстрований як друковане медіа і внесений до <strong>Реєстру суб'єктів у сфері медіа</strong> з ідентифікатором <strong>R30-03678</strong></p> <p>Журнал внесено до <strong><a href="https://nfv.ukrintei.ua/view/5b1925e27847426a2d0ab644" target="_blank" rel="noopener">категорії «Б»</a></strong> <strong>Переліку наукових фахових видань України </strong>наказами Міністерства освіти і науки України:<br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-6-bereznya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 409 від 17.03.2020 р.</a> в галузі <strong>Фізико-математичні науки</strong> за спеціальностями <strong>104 Фізика та астрономія</strong> і <strong>105 Прикладна фізика та наноматеріали</strong><br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-2-lipnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 886 від 02.07.2020 р.</a> в галузі <strong>Технічні науки</strong> за спеціальністю <strong>171 Електроніка</strong><br /><a href="https://mon.gov.ua/ua/npa/pro-zatverdzhennya-rishen-atestacijnoyi-kolegiyi-ministerstva-vid-24-veresnya-2020-roku" target="_blank" rel="noopener">№ 1188 від 24.09.2020 р.</a> в галузі <strong>Біологічні науки</strong> за спеціальністю <strong>091 Біологія та біохімія</strong></p> <p>Галузь знань і спеціальність (відповідно до <a href="https://zakon.rada.gov.ua/laws/show/266-2015-%D0%BF#n11" target="_blank" rel="noopener">Переліку галузей знань і спеціальностей, за якими здійснюється підготовка здобувачів вищої та фахової передвищої освіти</a> згідно з постановою Кабінету Міністрів України від 29 квітня 2015 р. № 266 в редакції постанови Кабінету Міністрів України від 30 серпня 2024 р. № 1021):<br />E Природничі науки, математика та статистика: <strong>E1 Біологія та біохімія</strong>, <strong>E5 Фізика</strong> <strong>та астрономія</strong>, <strong>E6 Прикладна фізика та наноматеріали</strong><br />G Інженерія, виробництво та будівництво: <strong>G5 Електроніка, електронні комунікації, приладобудування та радіотехніка</strong></p> <p><strong>Періодичність виходу: </strong>4 рази на рік<br /><strong>Мови видання: </strong>англійська, українська<br /><strong>Головний редактор: </strong>Лепіх Ярослав Ілліч, д-р фіз.-мат. наук, проф. <br /><strong>Адреса редакції: </strong>вул. Змієнка Всеволода, 2, м. Одеса, Україна 65082<br /><strong>Електронна адреса: </strong><a href="mailto:semst-journal@onu.edu.ua">semst-journal@onu.edu.ua</a></p> uk-UA semst-journal@onu.edu.ua (Лепіх Ярослав Ілліч / Lepikh Yaroslav) semst-journal@onu.edu.ua (Балабан Андрій Петрович / Balaban Andrii) пн, 20 кві 2026 19:48:01 +0300 OJS 3.2.1.2 http://blogs.law.harvard.edu/tech/rss 60 ОПТИМІЗАЦІЯ СТРУКТУРИ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ НА ОСНОВІ ПЛІВКИ ВІДНОВЛЕНОГО ОКСИДУ ГРАФЕНУ ДЛЯ ФОТО- ТА ГАЗОЧУТЛИВИХ ЗАСТОСУВАНЬ https://semst.onu.edu.ua/article/view/355911 <p>Досліджено особливості використання польових транзисторів на основі плівки відновленого оксиду графену (RGO), нанесеної на поверхню анодно та термічно окисненого поруватого кремнію, як фотодетекторів і газоадсорбційних сенсорів. Виявлено підвищення ефективності створених польових транзисторів у результаті термічного окиснення поруватого шару або осадження додаткового шару SiO₂ на поверхню анодно окисненого поруватого кремнію. Встановлено, що фото- та адсорбційна чутливість польових транзисторів з RGO-каналом залежить як від якості ізоляційного шару, так і наявності захисного SiO₂ покриття на плівці RGO. Зокрема, найбільшою фоточутливістю характеризуються польові транзистори з ізоляційним шаром анодно окисненого поруватого кремнію. І навпаки, графеновий польовий транзистор з термічно окисненим поруватим кремнієм майже нечутливий до видимого світла, проте демонструє максимальний відгук на адсорбцію молекул води. Захисний шар SiO₂ майже не впливає на фоточутливість польових транзисторів на основі RGO, але суттєво зменшує вплив атмосфери на їхню провідність.</p> І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, А. Ю. Козак, В. Я. Бойко, О. О. Сінькевич Авторське право (c) 2026 І. Б. Оленич, Л. С. Монастирський, А. Ю. Козак, В. Я. Бойко, О. О. Сінькевич http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 https://semst.onu.edu.ua/article/view/355911 пн, 20 кві 2026 00:00:00 +0300 ЕНЕРГЕТИЧНІ СТАНИ ІОНІВ ЗАЛІЗА В НАНОКРИСТАЛАХ ОКСИДУ ЦИНКУ https://semst.onu.edu.ua/article/view/355912 <p>Досліджені оптичне поглинання та фотолюмінесценція нанокристалів ZnO:Fe, отриманих методом хімічного осадження. Встановлено що розмір нанокристалітів визначається концентрацією прекурсорів. Показано, що легування залізом призводить до утворення енергетичних станів іону Fe²⁺ в забороненій зоні нанокристалів оксиду цинку, що призводить до утворення ліній ультрафіолетового та видимого випромінювання. Порівнянням з розрахованими значеннями енергій в наближенні слабкого кристалічного поля ідентифікована природа внутришньоцентрових оптичних та випромінювальних переходів.</p> Ю. А. Ніцук, С. Ф. Гусейнова Авторське право (c) 2026 Ю. А. Ніцук, С. Ф. Гусейнова http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 https://semst.onu.edu.ua/article/view/355912 пн, 20 кві 2026 00:00:00 +0300 ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ДІЯЛЬНОСТІ ВІДДІЛЕННЯ ФІЗИКИ І АСТРОНОМІЇ НАН УКРАЇНИ У 2020–2025 РОКАХ https://semst.onu.edu.ua/article/view/355909 <p><em><strong>Від редакції</strong></em></p> <p><em>І цього разу знайшла продовження традиція публікації в нашому журналі статті за матеріалами доповіді академіка-секретаря Відділення фізики і астрономії НАН України академіка Локтєва Вадима Михайловича за результатами діяльності установ Відділення.</em></p> <p><em>Відмінність полягає в тому, що звіт зроблено не річний, а за більш тривалий час 2020–2025 роки. Відсутній також аспект існуючих проблем у вітчизняній науці і освіті загалом, хоча частково це відображено в аналізі кадрових проблем лише Відділення.</em></p> <p><em>В статті відображені значні досягнення в різних наукових напрямах фізики різними інститутами, а це для нашого мультидисциплінарного журналу дуже актуально і цікаво. З цього приводу редакція отримує від авторів і читачів позитивні відгуки. Впевнені, що і цього разу буде така ж реакція, і за це ми від імені читачів і редакції висловлюємо шановному Вадиму Михайловичу щиро вдячність.</em></p> <p><strong> </strong></p> <p>У статті подано огляд діяльності Відділення фізики і астрономії НАН України у 2020–2025 роках. Розглянуто основні напрями наукових досліджень та найважливіші результати, отримані установами Відділення у галузях фізики конденсованого стану, нанофізики, астрофізики, радіофізики та квантових технологій.</p> В. М. Локтєв, В. В. Гладковський Авторське право (c) 2026 В. М. Локтєв, В. В. Гладковський http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 https://semst.onu.edu.ua/article/view/355909 пн, 20 кві 2026 00:00:00 +0300 МЕТОДИ ФРАКТАЛЬНОЇ ЕЛЕКТРОДИНАМІКИ ДЛЯ ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ І МІНІАТЮРИЗАЦІЇ ВИПРОМІНЮВАЧІВ (ОГЛЯД) https://semst.onu.edu.ua/article/view/355910 <p>Проведено аналіз розвитку фрактальних методів в електродинаміці для удосконалення перетворювачів, головним чином на прикладі антен з акцентом на їх інтеграцію в безпілотні літальні апарати (БПЛА). Ключова проблема проектування таких антен полягає у протиріччі між вимогами надширокополосності (400–7000 МГц) і жорсткими обмеженнями на масогабаритні та аеродинамічні характеристики, яким традиційні геометричні параметри не відповідають.</p> <p>Проаналізовано гібридні підходи, що об’єднують геометрії Коха, Серпінського та Мінківського, а також способи розширення смуги пропускання через використання дефектних структур заземлення (DGS) та метаматеріалів.</p> <p>Виявлено спеціалізовані конструкції, такі як FeathR™, оптимізовані для радіоелектронних завдань боротьби при збереженні низької радіолокаційної видимості. Представлені в огляді рішення підтверджують можливість ефективного безперервного покриття спектру частот від 400 МГц до 7 ГГц та вище.</p> Я. І. Лепіх, А. О. Карпенко, А. П. Балабан Авторське право (c) 2026 Я. І. Лепіх, А. О. Карпенко, А. П. Балабан http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 https://semst.onu.edu.ua/article/view/355910 пн, 20 кві 2026 00:00:00 +0300