Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Поточний випуск
Архіви
Анонси
Про нас
Про журнал
Подання
Редакційний штат
Заява про конфіденційність
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 16 № 2 (2019)
Том 16 № 2 (2019)
Опубліковано:
2019-07-04
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: НАПРУГА НА ЗАТВОРІ, ПОВЕРХНЕВИЙ ПОТЕНЦІАЛ ТА РУХЛИВИЙ ЕЛЕКТРОННИЙ ЗАРЯД У МАСИВНІЙ СТРУКТУРІ MOS ТА В ТОНКІЙ SOI
Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха
5-31
PDF
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ CdTe-ДІОДІВ В СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ
В. П. Махній, М. М. Березовський, О. В. Кінзерська, М. П. Мазур, Т. М. Мазур, В. В. Прокопів
32-42
PDF (English)
Акустоелектронні сенсори
ПРИСТРОЇ НА ПАХ З КЕРОВАНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ
Я. І. Лепіх
43-52
PDF
Біосенсори
МОДЕЛЮВАННЯ КІБЕРФІЗИЧНОЇ ІМУНОСЕНСОРНОЇ СИСТЕМИ НА ПРЯМОКУТНІЙ РЕШІТЦІ З ВИКОРИСТАННЯМ РЕШІТЧАСТИХ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ РІВНЯНЬ ІЗ ЗАПІЗНЕННЯМ
А. С. Сверстюк
53-65
PDF
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)
ТЕРМОРЕЗИСТИВНА ПОВЕДІНКА СИСТЕМ НА ОСНОВІ СІТЧАСТИХ ПОЛІУРЕТАНІВ ТА ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОТРУБОК
Е. А. Лисенков, Є. В. Лобко, З. О. Гаголкіна, Р. В. Дінжос, В. В. Клепко
66-76
PDF
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів
МЕТОД ІМІТАЦІЇ РІВНОМІРНОГО РУХУ ОПТИКО-ЛОКАЦІЙНОГО ПРИСТРОЮ
В. І. Сантоній, І. О. Іванченко, Л. М. Будіянська, Я. І. Лепіх
77-86
PDF
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів
##plugins.block.developedBy.blockTitle##
Open Journal Systems