Том 16 № 2 (2019)

Опубліковано: 2019-07-04

Весь випуск

PDF

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: НАПРУГА НА ЗАТВОРІ, ПОВЕРХНЕВИЙ ПОТЕНЦІАЛ ТА РУХЛИВИЙ ЕЛЕКТРОННИЙ ЗАРЯД У МАСИВНІЙ СТРУКТУРІ MOS ТА В ТОНКІЙ SOI

Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха

5-31

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171224
- PDF

Біосенсори

МОДЕЛЮВАННЯ КІБЕРФІЗИЧНОЇ ІМУНОСЕНСОРНОЇ СИСТЕМИ НА ПРЯМОКУТНІЙ РЕШІТЦІ З ВИКОРИСТАННЯМ РЕШІТЧАСТИХ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНИХ РІВНЯНЬ ІЗ ЗАПІЗНЕННЯМ

А. С. Сверстюк

53-65

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171240
- PDF

Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)

ТЕРМОРЕЗИСТИВНА ПОВЕДІНКА СИСТЕМ НА ОСНОВІ СІТЧАСТИХ ПОЛІУРЕТАНІВ ТА ВУГЛЕЦЕВИХ НАНОТРУБОК

Е. А. Лисенков, Є. В. Лобко, З. О. Гаголкіна, Р. В. Дінжос, В. В. Клепко

66-76

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171243
- PDF

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

ПЕРСПЕКТИВИ ВИКОРИСТАННЯ ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ CdTe-ДІОДІВ В СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ

В. П. Махній, М. М. Березовський, О. В. Кінзерська, М. П. Мазур, Т. М. Мазур, В. В. Прокопів

32-42

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171227
- PDF (English)

Акустоелектронні сенсори

ПРИСТРОЇ НА ПАХ З КЕРОВАНИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ

Я. І. Лепіх

43-52

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171238
- PDF

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів

МЕТОД ІМІТАЦІЇ РІВНОМІРНОГО РУХУ ОПТИКО-ЛОКАЦІЙНОГО ПРИСТРОЮ

В. І. Сантоній, І. О. Іванченко, Л. М. Будіянська, Я. І. Лепіх

77-86

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171244
- PDF