Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Поточний випуск
Архіви
Про нас
Про журнал
Подання
Редакційний штат
Заява про конфіденційність
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 7 № 4 (2010)
Том 7 № 4 (2010)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ВПЛИВ ПРОТОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ Si-Ge
N. T. Pavlovska, P. G. Litovchenko, A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskyy, Yu. M. Khoverko, A. Ya. Karpenko, V. M. Tsmots, Yu. V. Pavlovskyy
5-8
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116161
PDF
Сенсори фізичних величин
ЗАСТОСУВАННЯ МІКРОМЕХАНІЧНОГО АКСЕЛЕРОМЕТРА ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ КУТІВ НАХИЛУ ОБ’ЄКТА
M. G. Chernyak
9-16
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116173
PDF
ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В МАГНЕТИКАХ З ТЕНЗОРНИМИ ВЗАЄМОДІЯМИ Й НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНІ ДАТЧИКИ МАГНІТНОГО ПОЛЯ
I. P. Shapovalov, P. A. Sayko
17-20
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116174
PDF (Русский)
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ОСОБЛИВОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ СТРУКТУРИ NI/N-ZNO:N/P-SI
A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk
21-26
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116313
PDF
РАДІОЧАСТОТНІ ДАТЧИКИ ДИСТАНЦІЙНОГО КОНТРОЛЮ СТАНУ ОБ'ЄКТА
L. B. Lishchinskaya
27-36
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116315
PDF
ПЕРЕБУДОВА ДЕФЕКТІВ В ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ СТРУКТУРАХ Bi-Si-Al СТИМУЛЬОВАНА ДІЄЮ РАДІАЦІЇ
B. V. Pavlyk, A. S. Hrypa, D. P. Slobodzyan, R. M. Lys, R. I. Didyk, J. A. Shykoryak
37-41
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116316
PDF
Акустоелектронні сенсори
ОСОБЛИВОСТІ ДЕФОРМАЦІЇ МЕЗАТЕНЗОРЕЗИСТОРІВ МІКРОННИХ РОЗМІРІВ
Victor A. Gridchin, Michail A. Chebanov
42-47
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116318
PDF (English)
КІНЦЕВО-ЕЛЕМЕНТНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО МОДУЛЯ ТИСКУ
Victor A. Gridchin, Michail A. Chebanov
48-51
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116319
PDF (English)
Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)
НАНОСТРУКТУРИ GaSe З МАГНІТОВПОРЯДКОВАНИМИ «ГОСТЬОВИМИ» КОНФІГУРАЦІЯМИ В ТЕМПЕРАТУРНОМУ ТА ЕЛЕКТРОМАГНІТНОМУ ПОЛЯХ
N. T. Pokladok, I. I. Grygorchak, O. I. Grygorchak, F. O. Ivashchyshyn, P. Yo. Stakhira
68-78
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116325
PDF
Матеріали для сенсорів
ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ CuInAsSe3 ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ ТА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
N. V. Melnikova, O. L. Kheifets, A. N. Babushkin, K. V. Kurochka
52-56
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116320
PDF (Русский)
ТЕРМОДИНАМІКА ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ І ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ CdTe:І
D. M. Freik, I. V. Gorichok, U. M. Pysklynets, V. Yu. Potiak
57-62
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116321
PDF
ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ ОКИСЛЕННЯ ХАЛЬКОГЕНІДІВ ТАЛІЮ
H. Danylyuk, O. Balytskii, V. Savchyn
63-67
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116323
PDF
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів
##plugins.block.developedBy.blockTitle##
Open Journal Systems