Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Про нас
Про журнал
Подання
Заява про конфіденційність
Редакційні політики
Авторські права та ліцензування
Політика відкритого доступу
Рецензування
Доброчесність
Плагіат та дублювання публікацій
Штучний інтелект (ШІ)
Виправлення, відкликання та пов’язані питання
Конфіденційність
Конфлікт інтересів
Архіви
Анонси
Редакційний штат
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 7 № 4 (2010)
Том 7 № 4 (2010)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ВПЛИВ ПРОТОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ Si-Ge
N. T. Pavlovska, P. G. Litovchenko, A. A. Druzhinin, I. P. Ostrovskyy, Yu. M. Khoverko, A. Ya. Karpenko, V. M. Tsmots, Yu. V. Pavlovskyy
5-8
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116161
PDF
Сенсори фізичних величин
ЗАСТОСУВАННЯ МІКРОМЕХАНІЧНОГО АКСЕЛЕРОМЕТРА ДЛЯ ВИМІРЮВАННЯ КУТІВ НАХИЛУ ОБ’ЄКТА
M. G. Chernyak
9-16
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116173
PDF
ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ В МАГНЕТИКАХ З ТЕНЗОРНИМИ ВЗАЄМОДІЯМИ Й НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНІ ДАТЧИКИ МАГНІТНОГО ПОЛЯ
I. P. Shapovalov, P. A. Sayko
17-20
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116174
PDF (Русский)
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ОСОБЛИВОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ СТРУКТУРИ NI/N-ZNO:N/P-SI
A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk
21-26
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116313
PDF
РАДІОЧАСТОТНІ ДАТЧИКИ ДИСТАНЦІЙНОГО КОНТРОЛЮ СТАНУ ОБ'ЄКТА
L. B. Lishchinskaya
27-36
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116315
PDF
ПЕРЕБУДОВА ДЕФЕКТІВ В ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ СТРУКТУРАХ Bi-Si-Al СТИМУЛЬОВАНА ДІЄЮ РАДІАЦІЇ
B. V. Pavlyk, A. S. Hrypa, D. P. Slobodzyan, R. M. Lys, R. I. Didyk, J. A. Shykoryak
37-41
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116316
PDF
Акустоелектронні сенсори
ОСОБЛИВОСТІ ДЕФОРМАЦІЇ МЕЗАТЕНЗОРЕЗИСТОРІВ МІКРОННИХ РОЗМІРІВ
Victor A. Gridchin, Michail A. Chebanov
42-47
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116318
PDF (English)
КІНЦЕВО-ЕЛЕМЕНТНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНОГО МОДУЛЯ ТИСКУ
Victor A. Gridchin, Michail A. Chebanov
48-51
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116319
PDF (English)
Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)
НАНОСТРУКТУРИ GaSe З МАГНІТОВПОРЯДКОВАНИМИ «ГОСТЬОВИМИ» КОНФІГУРАЦІЯМИ В ТЕМПЕРАТУРНОМУ ТА ЕЛЕКТРОМАГНІТНОМУ ПОЛЯХ
N. T. Pokladok, I. I. Grygorchak, O. I. Grygorchak, F. O. Ivashchyshyn, P. Yo. Stakhira
68-78
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116325
PDF
Матеріали для сенсорів
ОСОБЛИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ CuInAsSe3 ПРИ ВИСОКИХ ТИСКАХ ТА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
N. V. Melnikova, O. L. Kheifets, A. N. Babushkin, K. V. Kurochka
52-56
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116320
PDF (Русский)
ТЕРМОДИНАМІКА ДЕФЕКТНОЇ ПІДСИСТЕМИ І ЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ CdTe:І
D. M. Freik, I. V. Gorichok, U. M. Pysklynets, V. Yu. Potiak
57-62
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116321
PDF
ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ ОКИСЛЕННЯ ХАЛЬКОГЕНІДІВ ТАЛІЮ
H. Danylyuk, O. Balytskii, V. Savchyn
63-67
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.4.116323
PDF
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів
##plugins.block.developedBy.blockTitle##
Open Journal Systems
Подати статтю
Подати статтю