Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Про нас
Мета та завдання
Науковий профіль журналу
Індексування
Редакційно-видавнича платформа
Для авторів
Рецензування
Політики журналу
Дотримання міжнародних стандартів та передових практик наукових публікацій
Редакційно-видавнича етика
Відкритий доступ
Авторські права та ліцензування
Умови публікації та редакційні збори
Відкрита наука та відкриті дані
Академічна доброчесність та публікаційна етика
Етика досліджень
Конфлікт інтересів
Розгляд скарг щодо порушень академічної доброчесності та публікаційної етики
Ретракція
Використання штучного інтелекту (ШІ)
Архівування та довготривале збереження
Конфіденційність та захист персональних даних
Архіви
Анонси
Редакційна колегія
Контакти
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 4 № 2 (2007)
Том 4 № 2 (2007)
Опубліковано:
2017-02-24
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ПОЛІПШЕННЯ ФОТОЧУТЛИВОСТІ Si-СЕНСОРІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ МЕТОДОМ АКУСТОСТИМУЛЬОВАНОЇ ІМПЛАНТАЦІЇ ЙОНІВ БОРУ ТА АРСЕНУ
Yo. V. Goltvyansciy, V. F. Machoulin, Ya. M. Olih, V. G. Popov, B. M. Romanjuc
3-8
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113439
PDF
ДЕТЕКТУВАННЯ ПЕРЕРІЗІВ ЕЛЕКТРОН-КОЛІЗІЙНОГО ЗБУДЖЕННЯ NE-ПОДІБНИХ ІОНІВ FE У ПЛАЗМІ У НАБЛИЖЕННІ ДЕБАЄВСЬКОГО ЕКРАНЮВАННЯ
A. V. Glushkov, O. Yu. Khetselius, E. P. Gurnitskaya, D. A. Korchevsky, A. V. Loboda, G. P. Prepelitsa
9-13
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113544
PDF (English)
Проектування і математичне моделювання сенсорів
МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСУ РУХУ ПРОБИ В МІКРОАНАЛІТИЧНІЙ ЕЛЕКТРОХЕМІЛЮМІНЕСЦЕНТНІЙ СИСТЕМІ КАПІЛЯРНОГО ЕЛЕКТРОФОРЕЗУ
K. M. Muzyka
14-19
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113547
PDF
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ОСОБЛИВОСТІ ДІЇ НИЗЬКОДОЗНОГО ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА СТАБІЛЬНІСТЬ КРЕМНІЄВИХ ДІОДНИХ СЕНСОРІВ ТЕМПЕРАТУРИ
B. V. Pavlyk, I. V. Garapyn, V. M. Zlupko
20-23
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113549
PDF
МОДЕЛЮВАННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ В p – p+ ПЕРЕХОДІ КРЕМНІЄВОГО ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧА
S. L. Khripko
24-27
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113557
PDF
Хімічні сенсори
ЕВОЛЮЦІЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО ЗБУДЖЕННЯ В ЕЛЕКТРОХЕМІЛЮМІНЕСЦЕНТНОМУ СЕНСОРІ З ЕЛЕКТРОДАМИ, ВКРИТИМИ ПЛІВКАМИ ЛЕНГМЮРА-БЛОДЖЕТ
Yu. T. Zholudov, N. N. Rozhitski
28-34
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113781
PDF (English)
ВПЛИВ АДСОРБЦІЇ ГАЗІВ ТА рН РОЗЧИНІВ НА ВИПРОМІНЮВАЛЬНИЙ ЧАС ЖИТТЯ МОДИФІКОВАНИХ ШАРІВ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ
A. I. Benilov, I. V. Gavrilchenko, I. V. Benilova, V. A. Skryshevsky, M. Cabrera
35-40
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113785
PDF (English)
ГАЗОЧУТЛИВІ СЕНСОРИ НА ОСНОВІ СПОЛУК TCNQ
Yu. L. Alexandrov, O. P. Pospyelov, A. S. Zaika, V. A. Strelets, G. V. Kamarchuk
41-48
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113789
PDF (Русский)
СЕНСОРИ АКТИВНОГО ТИПУ ДЛЯ АНАЛІЗУ ГАЗУ, ЯКИЙ ВИДИХАЄТЬСЯ
A. P. Pospelov, I. G. Kushch, Yu. L. Alexandrov, A. M. Pletnev, G. V. Kamarchuk
49-54
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.2.113793
PDF (Русский)
Подати статтю
Подати статтю