Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Про нас
Про журнал
Подання
Політики журналу
Дотримання міжнародних стандартів та принципів передових практик наукових публікацій
Політика відкритого доступу
Рецензування
Доброчесність
Штучний інтелект (ШІ)
Виправлення, відкликання та пов’язані питання
Конфіденційність та захист персональних даних
Конфлікт інтересів
Архіви
Анонси
Редакційний штат
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 6 № 2 (2009)
Том 6 № 2 (2009)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ПОЛЯРИЗАЦІЙНІ ЯВИЩА В АЦЕНТРИЧНИХ КРИСТАЛАХ В УМОВАХ НЕОДНОРІДНОГО ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДІЄНТА
V. F. Kosorotov, L. V. Shchedrina
5-9
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115475
PDF (Русский)
Біосенсори
ВИКОРИСТАННЯ НАПІВМАГНІТНИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ НАНОЧАСТИНОК ДЛЯ ВІЗУАЛІЗАЦІЇ СТРУКТУР БІОЛОГІЧНИХ ТКАНИН
V. I. Fediv, I. S. Davydenko, A. I. Savchuk, M. M. Marchenko, T. A. Savchuk
43-48
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115673
PDF
Проектування і математичне моделювання сенсорів
ЕЛЕКТРОННО-ОПТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ АВТОЕМІСІЙНИХ МІКРОКАТОДІВ
A. A. Druzhinin, V. I. Holota, I. T. Kogut, Yu. M. Khoverko
10-17
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115478
PDF
Сенсори фізичних величин
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРИ НА ОСНОВІ ОДНОПЕРЕХІДНОГО І ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРІВ ПРИ ДІЇ РАДІАЦІЇ
I. V. Vikulin, Sh. D. Kurmashev, A. E. Maistrenko, P. Yu. Markolenko
18-21
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115482
PDF (Русский)
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ВПЛИВ γ-ОПРОМІНЕННЯ НА ІЧ ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ХАЛЬКОГЕНІДНОГО СКЛА As32Sb8 S60
T. S. Kavetskyy, O. I. Shpotyuk, G. I. Dovbeshko, I. V. Blonskyy, V. M. Tsmots
22-25
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115483
PDF (English)
ПРО ДЕТЕКТУВАННЯ ЯДЕР ІЗОТОПІВ 207Bi ТА 207Pb МЕТОДАМИ ЛАЗЕРНОЇ СПЕКТРОСКОПІЇ НАДТОНКОЇ СТРУКТУРИ
O. Yu. Khetselius
26-29
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115666
PDF (English)
ЕНЕРГЕТИЧНІЙ ПІДХІД ДО ВИВЧЕННЯ ПРОЦЕСІВ ЗАХОПЛЕННЯ ЕЛЕКТРОНУ ТА ІОНІЗАЦІЇ В ІОН-АТОМНІЙ СИСТЕМІ ІЗ ЗІТКНЕННЯМ
A. V. Loboda
30-36
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115671
PDF (English)
Акустоелектронні сенсори
ДИНАМІКА АКУСТИЧНОЇ ЕМІСІЇ У ЛОКАЛЬНО-НЕОДНОРІДНО ТЕРМОНАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
O. V. Lyashenko
37-42
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115672
PDF
Технологія виробництва сенсорів
СТВОРЕННЯ І ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРИЧНИХ КОНТАКТІВ Al I Au НА ТОНКОПЛІВКОВОМУ Zn1-x Mnx O
V. V. Khomyak
64-68
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115677
PDF
РОЗРОБКА ПЛІВКОВИХ ШАРІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ ДЛЯ ЕКОНОМІЧНИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ
D. A. Kudiy, N. P. Klochko, G. S. Khrypunov, N. A. Kovtun, K. Y. Krikun, E. K. Belonogov
69-73
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115679
PDF (Русский)
Матеріали для сенсорів
КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА ТА МАГНІТНІ ВЛАСТИВОСТІ СПЛАВІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ У СИСТЕМІ Tm-Ge-Si
R. S. Kozak, S. Ya. Pukas, Yu. K. Gorelenko, R. E. Gladyshevskii, D. V. Labovka, L. I. Pankiv, V. M. Tsmots
49-55
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115675
PDF
ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНИХ КРИСТАЛІВ Sn2 P2 S6
Yu. Tyagur
56-63
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2009.2.115676
PDF
Подати статтю
Подати статтю
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів