Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Про нас
Про журнал
Подання
Політики журналу
Дотримання міжнародних стандартів та принципів передових практик наукових публікацій
Політика відкритого доступу
Рецензування
Доброчесність
Штучний інтелект (ШІ)
Виправлення, відкликання та пов’язані питання
Конфіденційність та захист персональних даних
Конфлікт інтересів
Архіви
Анонси
Редакційний штат
Контактна інформація
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 7 № 2 (2010)
Том 7 № 2 (2010)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ЯДЕРНА КВАНТОВА ОПТИКА: ЕНЕРГЕТИЧНИЙ ПІДХІД ДО ОПИСУ БАГАТОФОТОННИХ РЕЗОНАНСІВ В ЯДРАХ
A. V. Glushkov, A. A. Svinarenko
5-10
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114146
PDF (English)
ПРО ДЕТЕКТУВАННЯ ПАРАМЕТРІВ ПОНАДТОНКОІ СТРУКТУРИ, ЕЛЕКТРОСЛАБКОЇ ВЗАЄМОДІЇ ТА ЕФЕКТУ НЕЗБЕРЕЖЕННЯ ПАРНОСТІ У ВАЖКИХ АТОМАХ ТА ЯДРАХ: ЯДЕРНИЙ КЕД ПІДХІД
O. Yu. Khetselius, Yu. V. Dubrovskaya, Yu. M. Lopatkin, A. A. Svinarenko
11-19
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114150
PDF (English)
РОЛЬ НАДТОНКОЇ, ЕЛЕКТРОСЛАБКОЇ І СИЛЬНОЇ ВЗАЄМОДІЙ У АДРОН-АТОМНИХ СИСТЕМАХ ТА СТАТУС РЕНТГЕНІВСЬКИХ СТАНДАРТІВ
T. N. Zelentsova, V. N. Pavlovich, I. N. Serga, N. V. Mudraya
20-26
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114160
PDF (English)
Біосенсори
ОПТИЧНА ФАЗОМЕТРІЯ ІНФОРМАЦІЙНИХ СИГНАЛІВ У ППР-СЕНСОРАХ
I. D. Voitovych, I. O. Yavorsky
42-50
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114237
PDF (English)
РОЗРОБКА ВИСОКОЧУТЛИВОГО ТА СЕЛЕКТИВНОГО АМПЕРОМЕТРИЧНОГО ПЕРЕТВОРЮВАЧА ДЛЯ СТВОРЕННЯ IN VIVO БІОСЕНСОРІВ
O. O. Soldatkin, O. M. Schuvailo, R. Cespuglio, À. P. Soldatkin
51-60
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114243
PDF
Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори
ВПЛИВ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ШАРІВ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ НА ПОВЕРХНЕВІ РЕКОМБІНАЦІЙНІ ПРОЦЕСИ В КРЕМНІЄВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ
A. P. Gorban, V. P. Kostylyov, A. V. Sachenko, O. A. Serba, V. V. Chernenko
27-35
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114171
PDF
УЛЬТРАФІОЛЕТОВІ ФОТОДІОДИ: ВПЛИВ РІВНЯ ЛЕГУВАННЯ АЗОТОМ НА ФОТОЧУТЛИВІСТЬ ПЛІВОК ZnO
A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, L. A. Kosyachenko, V. M. Tkach, I. I. Shteplyuk, T. Sh. Osmanov
36-41
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114088
PDF
Матеріали для сенсорів
КОЕФІЦІЄНТ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОЇ ДОБРОТНОСТІ КРИСТАЛІВ Hg1-xMnxS і Hg1-x-уMnxFeyS
P. D. Maryanchuk, G. O. Andrushchak
61-63
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114248
PDF
ОСОБЛИВОСТІ ОПТИМІЗАЦІЇ МАТЕРІАЛІВ НА ОСНОВІ CdSb
A. A. Ashcheulov, I. V. Gutsul, O. N. Manyk, T. O. Manyk
64-70
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114252
PDF (Русский)
ДІЯ РАДІАЦІЇ НА ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ОПТИЧНИХ МОДУЛЯТОРІВ
V. I. Irkha, I. M. Vikulin
71-75
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.2.114258
PDF (Русский)
Подати статтю
Подати статтю
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів