Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Про нас
Мета та завдання
Науковий профіль журналу
Індексування
Редакційно-видавнича платформа
Для авторів
Рецензування
Політики журналу
Дотримання міжнародних стандартів та передових практик наукових публікацій
Редакційно-видавнича етика
Відкритий доступ
Авторські права та ліцензування
Умови публікації та редакційні збори
Відкрита наука та відкриті дані
Академічна доброчесність та публікаційна етика
Етика досліджень
Конфлікт інтересів
Розгляд скарг щодо порушень академічної доброчесності та публікаційної етики
Ретракція
Використання штучного інтелекту (ШІ)
Архівування та довготривале збереження
Конфіденційність та захист персональних даних
Архіви
Анонси
Редакційна колегія
Контакти
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 7 № 3 (2010)
Том 7 № 3 (2010)
Опубліковано:
2017-03-02
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
ФІЗИКА ГРАФЕНУ: СТАН І ПЕРСПЕКТИВИ
M. V. Strikha
5-13
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114454
PDF
НАНОРОЗМІРНІСТЬ МАТЕРІАЛІВ У СУЧАСНИХ МІКРОСИСТЕМНИХ ТЕХНОЛОГІЯХ
A. N. Morozovska, G. S. Svechnikov
14-26
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114464
PDF (Русский)
СПІН-ЗАЛЕЖНИЙ СТРУМ В СТРУКТУРАХ НА ОСНОВІ КНС
K. V. Krivokhizha, O. V. Tretyak, A. G. Shkavro
27-32
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114467
PDF
ФІЗИЧНІ МЕХАНІЗМИ ПОЛЯРИЗАЦІЙНИХ ЭФЕКТІВ В КРИСТАЛАХ, ЩО ПЕРЕБУВАЮТЬ В ТЕРМОДИНАМІЧНО НЕРІВНОВАЖНИХ УМОВАХ
V. F. Kosorotov, L. V. Shchedrina
33-38
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114469
PDF (Русский)
Біосенсори
ПОРТАТИВНИЙ ФЛУОРІМЕТР ФЛОРАТЕСТ ТА ОСОБЛИВОСТІ ЙОГО ЗАСТОСУВАННЯ
V. A. Romanov, I. B. Galelyuka, E. V. Sarakhan
39-44
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114470
PDF (Русский)
Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА НИТКОПОДІБНІ
A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, I. P. Ostrovskii, Yu. M. Khoverko, A. P. Kutrakov, N. S. Liakh-Kaguj
45-54
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114496
PDF
Матеріали для сенсорів
ПЕРСПЕКТИВИ СТВОРЕННЯ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИХ ФОТОРЕЗИСТОРІВ НА ОСНОВІ ПЛІВОК ZNO
A. I. Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk
55-60
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114518
PDF
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СЕГНЕТОЕЛЕКТРИКІВ TlInS2 В ОКОЛІ ФАЗОВИХ ПЕРЕХОДІВ
O. O. Gomonnai, P. P. Guranich, R. R. Rosul, A. G. Slivka, I. Yu. Roman, M. Yu. Rigan
61-64
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114440
PDF
ПІДВИЩЕННЯ РУХЛИВОСТІ НОСІЇВ СТРУМУ В ОДНОВІСНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ n −Si ТА n −Si З ІЗОВАЛЕНТНОЮ ДОМІШКОЮ ГЕРМАНІЮ
A. V. Fedosov, S. V. Luniov, S. A. Fedosov, S. Y. Misyuk, A. M. Korovytskyy
65-68
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114551
PDF
СТРУКТУРНІ ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК CDO, ОДЕРЖАНИХ РЕАКТИВНИМ МАГНЕТРОННИМ РОЗПИЛЮВАННЯМ
V. V. Khomyak
69-73
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114581
PDF
Cd1-xMnxTe ЯК МАТЕРІАЛ ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ Х- І γ-ВИПРОМІНЮВАННЯ
L. A. Kosyachenko, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk, N. S. Yurtsenyuk, O. L. Maslyanchuk, O. F. Sklyarchuk, Z. I. Zakharuk, E. V. Grushko
74-80
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114584
PDF
Сенсори та інформаційні системи
ПІДВИЩЕННЯ ШВИДКОДІЇ МОНІТОРИНГОВИХ СЕНСОРНИХ СИСТЕМ ЗІ СКЛАДНОЮ ОБРОБКОЮ ДАНИХ
V. G. Melnyk, I. V. Onyschenko, A. D. Vasylenko, E. U. Nebolyubov, V. A. Romanov, Ya. I. Lepikh
81-86
DOI:
https://doi.org/10.18524/.2010.3.114589
PDF
УНІВЕРСАЛЬНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ ФУНКЦІОНУВАННЯ ІНФОРМАЦІЙНОГО ОБ’ЄКТА В ІНТЕЛЕКТУАЛЬНІЙ СИСТЕМІ УПРАВЛІННЯ
O. V. Barabash, S. V. Lenkov, Ya. I. Lepikh, V. V. Balabin, V. A. Savchenko, I. M. Ploskonos, A. S. Slyunyaev
87-90
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.3.114592
PDF
Подати статтю
Подати статтю