Перейти до головного
Перейти в головне навігаційне меню
Перейти на нижній колонтитул сайту
Open Menu
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Про нас
Мета та завдання
Науковий профіль журналу
Індексування
Редакційно-видавнича платформа
Для авторів
Рецензування
Політики журналу
Дотримання міжнародних стандартів та передових практик наукових публікацій
Відкритий доступ
Авторські права та ліцензування
Умови публікації та редакційні збори
Відкрита наука та відкриті дані
Етика досліджень
Конфлікт інтересів
Розгляд скарг щодо порушень академічної доброчесності та публікаційної етики
Ретракція
Використання штучного інтелекту (ШІ)
Архівування та довготривале збереження
Конфіденційність та захист персональних даних
Архіви
Анонси
Редакційна колегія
Контакти
Пошук
Пошук
Зареєструватися
Увійти
Пошук
Пошук
Головна
/
Архіви
/
Том 10 № 2 (2013)
Том 10 № 2 (2013)
Опубліковано:
2013-04-01
Весь випуск
PDF
Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори
УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: СПІНТРОНІКА В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ – ВГОРУ»
Ю. О. Кругляк, Н. Ю. Кругляк, М. В. Стріха
5-37
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109449
PDF
ПРО ДЕТЕКТУВАННЯ АНАПОЛЬНОГО МОМЕНТУ ЯДРА ТА ЕФЕКТУ НЕЗБЕРЕЖЕННЯ ПАРНОСТІ У ВАЖКИХ АТОМНИХ СИСТЕМАХ: НОВИЙ ПІДХІД
О. Ю. Хецелiyс
38-43
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109461
PDF (English)
НОВИЙ ЧИСЕЛЬНИЙ ПІДХІД ДО ВИЗНАЧЕННЯ РАДІАЦІЙНИХ ПЕРЕХОДІВ У СПЕКТРАХ ДЕКОТРИХ СКЛАДНИХ ІОНІВ
Т. О. Флорко
44-49
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109478
PDF (English)
Біосенсори
КОНТРОЛЬ МІКОТОКСИНІВ ЗА ДОПОМОГОЮ ІМУННОГО БІОСЕНСОРА НА ОСНОВІ НАНОСТРУКТУРОВАНОГО КРЕМНІЮ
М. Ф. Стародуб, Н. Ф. Слышик, И. В. Пилипенко, M. M. Meльниченко, Л. Н. Пилипенко
68-72
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109525
PDF (English)
ВПЛИВ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМИ ТОНКОПЛІВКОВИЙ ПЕРЕТВОРЮВАЧ – БУФЕРНИЙ РОЗЧИН НА КОНДУКТОМЕТРИЧНИЙ БІОСЕНСОР, СТВОРЕНИЙ НА ЇЇ ОСНОВІ
М. Й. Мацишин, В. M. Пєшкова, В. Г. Мельник, О. Л. Кукла, А. В. Мамикін, Л. М. Семеничева, С. В. Дзядевич, О. П. Солдаткін
73-83
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109532
PDF
Проектування і математичне моделювання сенсорів
РОЗРАХУНОК ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ІОНОСЕЛЕКТИВНИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ: ТЕОРЕТИЧНІ ТА ПРАКТИЧНІ АСПЕКТИ
С. В. Лозовий, О. Л. Кукла, О. С. Павлюченко, Ю. В. Голтвянський, М. М. Прищепа
50-61
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109480
PDF
Сенсори фізичних величин
ІНТЕРКАЛЬОВАНІ ШАРУВАТІ КРИСТАЛИ InSe, GaSe І Bi2 Te3 ТА ЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ТИСКУ НА ЇХ ОСНОВІ
З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк
62-67
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109521
PDF
Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів
ДОСЛІДЖЕННЯ СТАБІЛЬНОСТІ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРІВ ПІД ДІЄЮ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ОПРОМІНЕННЯ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ
Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа
94-101
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109608
PDF
Матеріали для сенсорів
ДАТЧИКИ ТИСКУ: ОБ’ЄМНІ НАПІВПРОВІДНИКИ, НИТКОПОДІБНІ КРИСТАЛИ, НАНОПРОВІДНИКИ
Л. І. Панасюк, В. М. Єрмаков, В. В. Коломоєць, А. В. Божко, Л. В. Ящинський
84-87
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109551
PDF
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ІОНІВ ВАНАДІЮ В КРИСТАЛАХ ZnS
Ю. А. Ніцук
88-93
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109599
PDF (Русский)
Подати статтю
Подати статтю
Інформація
Для читачів
Для авторів
Для бібліотекарів