АКУСТОСТИМУЛЬОВАНА “КВАЗІКАВІТАЦІЯ” ВАКАНСІЙНИХ ДЕФЕКТІВ У НАПІВПРОВІДНИКАХ ПРИ ЇХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНОМУ ОПРОМІНЕННІ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2017.2.106604Ключові слова:
іонна імплантація, акустичні хвилі, «квазікавітація», напівпровідники, дефектно-домішкові структуриАнотація
Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.
Дається пояснення мікроструктурним перетворенням дефектно-домішкової структури кристала з позицій подібності процесів, що відбуваються при кавітації у рідинах. Вводиться термін “квазікавітація”, що за аналогією фізично базується на ефекті локальної високої концентрації енергії (тиску, температури і механічних напружень), яка суттєво впливає на процеси в напівпровідниках при іонно-променевій імплантації.
Посилання
Machulin V. F., Lepikh Ya. I., Olikh Ya. M., Romaniuk B. M. Akustoelektronni ta akustoionni tekhnolohii // Visnyk NAN Ukrainy. – 2007. - No 5. S. 3-8 (in Ukrainian).
Lepikh Ya. I. Prykladna akustyka v medytsyni. Odesa: Astroprynt, 2005. - 208 s. (in Ukrainian).
Chelyadinskij A. R., Komarov F. F. Defektno-primesnaya inzheneriya v implanti-rovannom kremnii // UFN. – 2003. - T. 173. - № 8. - S. 813-846 (in Russian).
Olikh Ya. M. Pro mozhlyvosti akustokerovanoi inzhenerii defektiv u „nerivnovazhnykh napivprovidnykakh” (ch. 1. Mekhanizmy). Novi tekhnolohii No 2 (20) -2008. Naukovyi visnyk KUEITU. – S. 188-193 (in Ukrainian).
Demidov E. S., Karzanov V. V., Lobanov D. A., Markov K. A., Sdobnyakov V. V. Dal’nodejstvuyushchee vliyanie oblucheniya ionami argona na sintez stekhiometricheskoj fazy nitrida kremniya v cloyah SixNy, sformirovannyh ionnoj implantaciej //FTP. 2001, T. 35,– V. 1. – S. 21. (in Russian).
Romanjuk B., Kruger D., Melnik V., Popov V., Olikh Ya., Soroka V., Oberemok O. Ultrasound effect on radiation damages in boron implanted silicon. //Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2000, V. 3, N1, P. 15-18.
Romanyuk B., Krüger D., Melnik V., Popov V., Borshchagovskyi E., Olikh Ya., Soroka V. Mekhanisms of silicon amorphizationat the US action during Ion Implantation. // Ukrainian Journal of Physics, 2001, Vol. 46, No2, P. 191-195.
Krüger D., Romanyuk B., Melnik V., Olikh Ja., Kurps R. Influence of in-situ US treatment during ion implantation on amorphization and junction formation in silicon// J. Vacuum Sci. & Technology. - 2002. - B20. - № 4. – P. 1448-1451.
Romanyuk B., Kladko V., Olikh Ya., et al. Enhanced relaxation of SiGe layers by He implantation supported by in situ us treatments// Mater. Sci. in Semicond. Processing, 8 (4), pp. 171-175, (2005).
Margulis M. A. Sonolyuminescenciya. UFN. 2000. T. 170, №3. S. 263 (in Russian).
Ovchinnikov V. V. UFN. 2008. T. 178, №9, S. 991-1001 (in Russian).
Bakaj A. S., Lozinskij I. P. Vliyanie zvuka na diffuziyu atomov primesi vnedreniya v tverdom tele // FTT. –1986. –T. 28. –№8. –S. 2455–2457 (in Russian).
Titov V. V. Rol’ mekhanicheskih napryazhenij pri legirovanii materialov s pomoshch’yu ionnyh puchkov. Preprint IAEH-3774/11, 1983 (in Russian).
Pavlovich V. N. Enhanced diffusion of impurities and defect in crystal in conditions of ultrasonic and radiative excitation of crystal lattice // Phys. Stat. Sol. (b). – 1993. – Vol. 180, N1. – P. 97-105.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2017 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
