ТОПОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТОНКОЇ ОКСИДНОЇ ПЛІВКИ ZnCdO ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ n-ZnCdO–p-GaSe

Автор(и)

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Україна
  • В. М. Катеринчук Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Україна
  • З. Р. Кудринський Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Україна
  • Б. В. Кушнір Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України, Україна
  • В. В. Хомяк Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2015.2.107590

Ключові слова:

селенід галію, ZnCdO, тонка плівка, гетероперехід, АСМ зображення, фотопровідність

Анотація

Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0.5Cd0.5O–p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0.5Cd0.5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0.5Cd0.5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу.

Посилання

K.D. Tovstyuk. Poluprovodnykovoe materyalovedenye. «Naukova dumka», K. 264 s. (1987).

Z.D. Kovalyuk. Osobennosty fyzycheskykh svoystv sloystykh krystallov// Fyzycheskye osnovy poluprovodnykovoho materyalovedenyya. «Naukova dumka», K. 7 s. (1986).

C. Jagadish, S.J. Pearton. Zinc Oxide bulk, thin films and nanostructures: processing, properties and applications. Elsevier, Amsterdam. (2006).

I.I. Shteplyuk, H.V. Lashkarʹov, V.Y. Lazorenko, A.I. Yevtushenko. Tekhnolohichni ta materialoznavchi aspekty stvorennya svitlodiodiv na osnovi ZnO// PCSS 11 (2), 277 (2010).

Z.R. Kudrynskyi, Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, V.V. Khomyak, I.G. Orletsky, V.V. Netyaga. Fabrication and Characterization of Photosensitive n-CdO/p-InSe Heterojunctions. Acta Phys. Pol. A 124, 720 (2013).

V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, V.V. Khomyak, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryan-chuk, K.S. Ulyanytsky. Electrical properties of anisotype heterojunctions n-CdZnTe/pCdTe // Semiconductors, 46 (9), pp. 1152-1157 (2012).

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-04-01

Номер

Том 12 № 2 (2015)

Розділ

Матеріали для сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2015 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.