ТОПОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТОНКОЇ ОКСИДНОЇ ПЛІВКИ ZnCdO ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ n-ZnCdO–p-GaSe

З. Д. Ковалюк, В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, Б. В. Кушнір, В. В. Хомяк

Анотація


Методом високочастотного магнетронного напилення вперше створено гетероструктуру n-Zn0.5Cd0.5O–p-GaSe. Досліджено топологію поверхні тонкої оксидної плівки Zn0.5Cd0.5O, що сформована на свіжосколотій ван-дер-ваальсовій поверхні шаруватого кристалу GaSe. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктури. Методом АСМ-зображень виявлено, що в плівці Zn0.5Cd0.5O формуються наскрізні канали різної топології і розмірів, які істотно впливають на шунтуючі опори гетеропереходу.

Ключові слова


селенід галію; ZnCdO; тонка плівка; гетероперехід; АСМ зображення; фотопровідність

Посилання


K.D. Tovstyuk. Poluprovodnykovoe materyalovedenye. «Naukova dumka», K. 264 s. (1987).

Z.D. Kovalyuk. Osobennosty fyzycheskykh svoystv sloystykh krystallov// Fyzycheskye osnovy poluprovodnykovoho materyalovedenyya. «Naukova dumka», K. 7 s. (1986).

C. Jagadish, S.J. Pearton. Zinc Oxide bulk, thin films and nanostructures: processing, properties and applications. Elsevier, Amsterdam. (2006).

I.I. Shteplyuk, H.V. Lashkarʹov, V.Y. Lazorenko, A.I. Yevtushenko. Tekhnolohichni ta materialoznavchi aspekty stvorennya svitlodiodiv na osnovi ZnO// PCSS 11 (2), 277 (2010).

Z.R. Kudrynskyi, Z.D. Kovalyuk, V.M. Katerynchuk, V.V. Khomyak, I.G. Orletsky, V.V. Netyaga. Fabrication and Characterization of Photosensitive n-CdO/p-InSe Heterojunctions. Acta Phys. Pol. A 124, 720 (2013).

V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, V.V. Khomyak, Z.D. Kovalyuk, P.D. Maryan-chuk, K.S. Ulyanytsky. Electrical properties of anisotype heterojunctions n-CdZnTe/pCdTe // Semiconductors, 46 (9), pp. 1152-1157 (2012).




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2015.2.107590

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2015 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)