СЕНСОРИ НА ОСНОВІ ZnMgSe

Автор(и)

  • М. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • О. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича http://orcid.org/0000-0002-2135-9544
  • А. Г. Шахматова Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
  • К. С. Ульяницький Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2015.1.107701

Ключові слова:

ізовалентна домішка, оптичне відбивання, фоточутливість, люмінесценція

Анотація

Досліджено вплив дифузії Mg на фотоелектричні і люмінесцентні властивості Zn0,88Mg0,12Se. Встановлено, що легуюча речовина проявляє властивості ізовалентної домішки. Вона зумовлює інверсію типу електропровідності і отримання p–n-переходів з високою фоточутливістю. Леговані Mg дифузійні шари характеризуються інтенсивною люмінесценцією у крайовій області з квантовою ефективністю 15-18 %.

Біографії авторів

М. М. Сльотов, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

M. M. Slyotov

О. М. Сльотов, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

A. M. Slyotov

А. Г. Шахматова, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

A. G. Shahmatova

К. С. Ульяницький, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича

K. S. Ulyanitskiy

Посилання

Махний В.П., Слётов М.М., Демич Н.В., Слётов А.М. Особенности физических свойств гетерослоев изовалентного замещения широкозонных II-VI соединений // Междунар. науч. конф. – Минск. – 2005. – 1. – С. 385-387.

М.М. Слётов, В.В. Косоловский, А.М. Слётов, К.С. Ульяницкий Сенсоры с изовалентными примесями // Sensor Electronics and Microsystem Technologies. – 2011. – T. 2 (8), №2. – С. 76-80.

Makhniy V. P., Slyotov M. M., Stets E. V., Tkachenko I. V., Gorley V. V., Horley P. P. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters // Thin Solid Films. – 2004. – 450. – P. 222-225.

Георгобиани А. Н., Грузинцев А. Н., Озеров Ю. В., Тигиняну И. М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках // Труды ФИАН. – 1985. – 163. – С. 39-100.

Воробьев Ю.В., Добровольский В.И., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. – К.: Вища школа. – 1988. – 232 с.

Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. – Киев: Наукова думка, 1987. – 608 с.

Грибковский В. П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. – Минск: Наука и техника, 1975. – 464 с.

Koh Era, Langer D. W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. – 1970. – 1-2. – P. 514-527.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-01-01

Номер

Розділ

Матеріали для сенсорів