СЕНСОРИ НА ОСНОВІ ZnMgSe

Автор(и)

  • М. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • О. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна https://orcid.org/0000-0002-2135-9544
  • А. Г. Шахматова Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • К. С. Ульяницький Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2015.1.107701

Ключові слова:

ізовалентна домішка, оптичне відбивання, фоточутливість, люмінесценція

Анотація

Досліджено вплив дифузії Mg на фотоелектричні і люмінесцентні властивості Zn0,88Mg0,12Se. Встановлено, що легуюча речовина проявляє властивості ізовалентної домішки. Вона зумовлює інверсію типу електропровідності і отримання p–n-переходів з високою фоточутливістю. Леговані Mg дифузійні шари характеризуються інтенсивною люмінесценцією у крайовій області з квантовою ефективністю 15-18 %.

Посилання

Махний В.П., Слётов М.М., Демич Н.В., Слётов А.М. Особенности физических свойств гетерослоев изовалентного замещения широкозонных II-VI соединений // Междунар. науч. конф. – Минск. – 2005. – 1. – С. 385-387.

М.М. Слётов, В.В. Косоловский, А.М. Слётов, К.С. Ульяницкий Сенсоры с изовалентными примесями // Sensor Electronics and Microsystem Technologies. – 2011. – T. 2 (8), №2. – С. 76-80.

Makhniy V. P., Slyotov M. M., Stets E. V., Tkachenko I. V., Gorley V. V., Horley P. P. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters // Thin Solid Films. – 2004. – 450. – P. 222-225.

Георгобиани А. Н., Грузинцев А. Н., Озеров Ю. В., Тигиняну И. М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках // Труды ФИАН. – 1985. – 163. – С. 39-100.

Воробьев Ю.В., Добровольский В.И., Стриха В.И. Методы исследования полупроводников. – К.: Вища школа. – 1988. – 232 с.

Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. – Киев: Наукова думка, 1987. – 608 с.

Грибковский В. П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. – Минск: Наука и техника, 1975. – 464 с.

Koh Era, Langer D. W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence. – 1970. – 1-2. – P. 514-527.

##submission.downloads##

Опубліковано

2015-01-01

Номер

Розділ

Матеріали для сенсорів